Name: BSP135H6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSP135H6327XTSA1TR-ND
Price: 10.0914 RON
Availability: InStock

BSP135H6327XTSA1
Numărul produsului DigiKey	BSP135H6327XTSA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSP135H6327XTSA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSP135H6327XTSA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSP135H6327XTSA1
Descriere	MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Termen de livrare standard al producătorului	22 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal N, mod epuizare 600 V 120mA (Ta) 1,8W (Ta) Montare pe suprafață PG-SOT223-4
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSP135H6327XTSA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	SIPMOS®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal N, mod epuizare
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	0V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	45Ohm la 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	1V la 94µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	4.9 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	146 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,8W (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-SOT223-4
Pachet/cutie	TO-261-4, TO-261AA
Număr produs de bază	BSP135

Preț unitar fără TVA:	8,34000 lei
Preț unitar cu TVA:	10,09140 lei

BSP135H6327XTSA1