BSC0704LSATMA1 Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

BSC0704LSATMA1 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

Infineon Technologies

În stoc: 13.903

Preț unitar : 6,37000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BSC0704LSATMA1
Numărul produsului DigiKey	448-BSC0704LSATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-BSC0704LSATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-BSC0704LSATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSC0704LSATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 60V 11A/47A TDSON
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 11A (Ta), 47A (Tc) 2,1W (Ta), 36W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-6
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSC0704LSATMA1 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	11A (Ta), 47A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	9,4mOhm la 24A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,3V la 14µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	9.4 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1300 pF @ 30 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,1W (Ta), 36W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-6
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	BSC0704