Name: BSC042NE7NS3GATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND
Price: 16.7222 RON
Availability: InStock

BSC042NE7NS3GATMA1
Numărul produsului DigiKey	BSC042NE7NS3GATMA1TR-ND - Bandă și mosor (TR) BSC042NE7NS3GATMA1CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BSC042NE7NS3GATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	BSC042NE7NS3GATMA1
Descriere	MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Termen de livrare standard al producătorului	19 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2,5W (Ta), 125W (Tc) Montare pe suprafață PG-TDSON-8-1
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	BSC042NE7NS3GATMA1 Modele

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	75 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	19A (Ta), 100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	4,2mOhm la 50A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,8V la 91µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	69 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	4800 pF @ 37.5 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	2,5W (Ta), 125W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TDSON-8-1
Pachet/cutie	8-PowerTDFN
Număr produs de bază	BSC042

Preț unitar fără TVA:	13,82000 lei
Preț unitar cu TVA:	16,72220 lei

BSC042NE7NS3GATMA1