Name: AUIRF7759L2TR
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-AUIRF7759L2TR-ND
Price: 53.3852 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

AUIRF7759L2TR
Numărul produsului DigiKey	448-AUIRF7759L2TR-ND - Bandă și mosor (TR) 448-AUIRF7759L2TRCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 448-AUIRF7759L2TRDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	AUIRF7759L2TR
Descriere	MOSFET N-CH 75V 375A DIRECTFET
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 75 V 375A (Tc) 3,3W (Ta), 125W (Tc) Montare pe suprafață DirectFET™ izometric L8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Ultima ocazie de cumpărare
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	75 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	375A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2,3mOhm la 96A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	300 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	12222 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	3,3W (Ta), 125W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	DirectFET™ izometric L8
Pachet/cutie	DirectFET™ izometric L8
Număr produs de bază	AUIRF7759