Matrice MOSFET 50V 3A 2,4W Montare pe suprafață 8-SO
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

AUIRF7103Q

Numărul produsului DigiKey
AUIRF7103Q-ND
Producător
Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului
AUIRF7103Q
Descriere
MOSFET 2N-CH 50V 3A 8SO
Referință client
Descriere detaliată
Matrice MOSFET 50V 3A 2,4W Montare pe suprafață 8-SO
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Producător
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Configurație
Canal 2 N (dublu)
Caracteristică FET
–
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
50V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
3A
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
130mOhm la 3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
3V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
15nC la 10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
255pF la 25V
Putere - Max
2,4W
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet/cutie
8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Pachet dispozitiv furnizor
8-SO
Număr produs de bază
AUIRF7103
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Tipuri de pachete alternative.