Name: G120P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G120P06MTR-ND
Price: 3.00709 RON
Availability: InStock

Nou la DigiKey

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

G120P06M
Numărul produsului DigiKey	4822-G120P06MTR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Goford Semiconductor
Numărul produsului producătorului	G120P06M
Descriere	MOSFET P-CH -60V 120A TO-263-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 120A (Tc) 277W Montare pe suprafață D2PAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Goford Semiconductor
Serie	TrenchFET
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	8,5mOhm la 20A, 10V
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	230 nC @ -10 V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	12215 pF @ -30 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	277W
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	D2PAK
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB