Name: G080P06M
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 3141-G080P06MTR-ND
Price: 17.3151 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

G080P06M
Numărul produsului DigiKey	3141-G080P06MTR-ND - Bandă și mosor (TR) 3141-G080P06MCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 3141-G080P06MDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Goford Semiconductor
Numărul produsului producătorului	G080P06M
Descriere	P-60V,-195A,RD(MAX)<7.5M@-10V,VT
Termen de livrare standard al producătorului	8 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 195A (Tc) 294W (Tc) Montare pe suprafață TO-263
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 186 nC @ 10 V
Prod. Goford Semiconductor	Vgs (Max) ±20V
Serie TrenchFET®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 15870 pF @ 30 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 294W (Tc)
Tip FET Canal P	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 195A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-263
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 7,5mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA