GPIXV30DFN GaNPower | Produse cu semiconductori discreți

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

GPIXV30DFN
Numărul produsului DigiKey	4025-GPIXV30DFN-ND
Producător	GaNPower
Numărul produsului producătorului	GPIXV30DFN
Descriere	GANFET N-CH 1200V 30A DFN8X8
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 30A – Montare pe suprafață Matriță
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	GaNPower
Serie	-
Ambalaj	Pungă
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	30A
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	6V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	–
Vgs(th) (Max) la Id	1,4V la 3,5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	8.25 nC @ 6 V
Vgs (Max)	+7,5V, -12V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	236 pF @ 400 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	–
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	Matriță
Pachet/cutie	Matriță