Name: RFD8P06LE
Brand: Fairchild Semiconductor
SKU: 2156-RFD8P06LE-ND
Price: 2.53229 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

RFD8P06LE
Numărul produsului DigiKey	2156-RFD8P06LE-ND
Producător	Fairchild Semiconductor
Numărul produsului producătorului	RFD8P06LE
Descriere	P-CHANNEL POWER MOSFET
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 60 V 8A (Tc) 48W (Tc) Orificiu străpuns IPAK
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Fairchild Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Vrac
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	60 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	8A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	300mOhm la 8A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id	2V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	30 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	675 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	48W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	IPAK
Pachet/cutie	Conductoare scurte TO-251-3, IPAK, TO-251AA