Canal-N 1200 V 125A (Tc) 600W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DIW120SIC023-AQ

Numărul produsului DigiKey
4878-DIW120SIC023-AQ-ND
Producător
Diotec Semiconductor
Numărul produsului producătorului
DIW120SIC023-AQ
Descriere
SICFET N-CH 1200V 125A TO-247-3
Termen de livrare standard al producătorului
10 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 125A (Tc) 600W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date
 Fișă de date
Modele EDA/CAD
DIW120SIC023-AQ Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Diotec Semiconductor
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
125A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
23mOhm la 75A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
2,9V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
45 nC @ 18 V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
6150 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
600W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
Automobile
Calificare
AEC-Q101
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet/cutie
TO-247-3
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 545
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
1409,81000 lei409,81 lei
30308,14667 lei9.244,40 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:409,81000 lei
Preț unitar cu TVA:495,87010 lei