Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 10.4423 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DI2A2N100D1K
Numărul produsului DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Bandă și mosor (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diotec Semiconductor
Numărul produsului producătorului	DI2A2N100D1K
Descriere	MOSFET, DPAK, N-CH, 1000V, 2.2A
Termen de livrare standard al producătorului	8 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1000 V 2,2A (Tc) 30W (Tc) Montare pe suprafață TO-252 (DPAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	DI2A2N100D1K Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1000 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	2,2A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	6,8Ohm la 1,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	25 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±25V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	510 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	30W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-252 (DPAK)
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63