Name: DI2A2N100D1K
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI2A2N100D1KTR-ND
Price: 11.1199 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DI2A2N100D1K
Numărul produsului DigiKey	4878-DI2A2N100D1KTR-ND - Bandă și mosor (TR) 4878-DI2A2N100D1KCT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 4878-DI2A2N100D1KDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diotec Semiconductor
Numărul produsului producătorului	DI2A2N100D1K
Descriere	MOSFET N-CH 1000V 2.2A TO-252-3
Termen de livrare standard al producătorului	8 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1000 V 2,2A (Tc) 30W (Tc) Montare pe suprafață TO-252 (DPAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	DI2A2N100D1K Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 25 nC @ 10 V
Prod. Diotec Semiconductor	Vgs (Max) ±25V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 510 pF @ 25 V
Stare piesă Activ	Caracteristică FET –
Tip FET Canal-N	Disipare putere (Max) 30W (Tc)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1000 V	Grad –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 2,2A (Tc)	Calificare –
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Tip montare Montare pe suprafață
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 6,8Ohm la 1,5A, 10V	Pachet dispozitiv furnizor TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Pachet/cutie TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63