Name: DI200N10D2
Brand: Diotec Semiconductor
SKU: 4878-DI200N10D2-ND
Price: 18.4162 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DI200N10D2
Numărul produsului DigiKey	4878-DI200N10D2-ND
Producător	Diotec Semiconductor
Numărul produsului producătorului	DI200N10D2
Descriere	MOSFET D2PAK N 100V 200A
Termen de livrare standard al producătorului	8 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 200A (Tc) 340W (Tc) Montare pe suprafață TO-263AB (D2PAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	DI200N10D2 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Diotec Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Vrac
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	200A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	2.3mOhm @ 120A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	262 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	16800 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	340W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-263AB (D2PAK)
Pachet/cutie	TO-263-3, D2PAK (2 conductoare + lamelă), TO-263AB

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 802

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Vrac