Canal-N 1200 V 100A (Tc) 349W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMWSH120H23SM3

Numărul produsului DigiKey
31-DMWSH120H23SM3-ND
Producător
Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului
DMWSH120H23SM3
Descriere
SICFET N-CH 1200V TO-247
Termen de livrare standard al producătorului
16 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 1200 V 100A (Tc) 349W (Tc) Orificiu străpuns TO-247
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Diodes Incorporated
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Activ
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
15V, 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
23mOhm la 50A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id
3,6V la 17,7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
217 nC @ 18 V
Vgs (Max)
+22V, -10V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3962 pF @ 1000 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
349W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 175°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-247
Pachet/cutie
TO-247-3
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 30
Verificați stoc primit suplimentar
Cantitate
Toate prețurile sunt în RON
Tub
Cantitate Preț unitar Ext Price
1119,75000 lei119,75 lei
3077,55267 lei2.326,58 lei
12076,46442 lei9.175,73 lei
Pachet standard de la producător
Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.
Preț unitar fără TVA:119,75000 lei
Preț unitar cu TVA:144,89750 lei