Name: DMTH6016LSDQ-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMTH6016LSDQ-13DITR-ND
Price: 9.6558 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMTH6016LSDQ-13
Numărul produsului DigiKey	DMTH6016LSDQ-13DITR-ND - Bandă și mosor (TR) DMTH6016LSDQ-13DICT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) DMTH6016LSDQ-13DIDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	DMTH6016LSDQ-13
Descriere	MOSFET 2N-CH 60V 7.6A 8SO
Termen de livrare standard al producătorului	40 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Matrice MOSFET 60V 7,6A (Ta) 1,4W, 1,9W Montare pe suprafață 8-SO
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri Matrice FET, MOSFET	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 17nC la 10V
Producător Diodes Incorporated	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 864pF la 30V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Putere - Max 1,4W, 1,9W
Stare piesă Activ	Temperatură de funcționare -55°C – 175°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad Automobile
Configurație Canal 2 N (dublu)	Calificare AEC-Q101
Caracteristică FET –	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60V	Pachet/cutie 8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 7,6A (Ta)	Pachet dispozitiv furnizor 8-SO
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 19,5mOhm la 10A, 10V	Număr produs de bază DMTH6016
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 250µA