Name: DMT12H090LFDF4-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND
Price: 7.6593 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMT12H090LFDF4-7
Numărul produsului DigiKey	31-DMT12H090LFDF4-7TR-ND - Bandă și mosor (TR) 31-DMT12H090LFDF4-7CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 31-DMT12H090LFDF4-7DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	DMT12H090LFDF4-7
Descriere	MOSFET N-CH 115V 3.4A 6DFN
Termen de livrare standard al producătorului	40 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 115 V 3,4A (Ta) 900mW (Ta) Montare pe suprafață X2-DFN2020-6
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±12V
Prod. Diodes Incorporated	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 251 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 900mW (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 115 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 3,4A (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 3V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor X2-DFN2020-6
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 90mOhm la 3,5A, 10V	Pachet/cutie 6-PowerXDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2,2V la 250µA	Număr produs de bază DMT12
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 6 nC @ 10 V

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 2.975

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)