Name: DMT10H009SPS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009SPS-13TR-ND
Price: 9.9704 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMT10H009SPS-13
Numărul produsului DigiKey	31-DMT10H009SPS-13TR-ND - Bandă și mosor (TR) 31-DMT10H009SPS-13CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 31-DMT10H009SPS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	DMT10H009SPS-13
Descriere	MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
Termen de livrare standard al producătorului	40 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 14A (Ta), 80A (Tc) 1,3W (Ta) Montare pe suprafață PowerDI5060-8
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Diodes Incorporated	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 2085 pF @ 50 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 1,3W (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 14A (Ta), 80A (Tc)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 10V	Pachet dispozitiv furnizor PowerDI5060-8
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 8,5mOhm la 20A, 10V	Pachet/cutie 8-PowerTDFN
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 250µA	Număr produs de bază DMT10
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 30 nC @ 10 V