Name: DMT10H009LK3-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMT10H009LK3-13TR-ND
Price: 9.2323 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMT10H009LK3-13
Numărul produsului DigiKey	31-DMT10H009LK3-13TR-ND - Bandă și mosor (TR) 31-DMT10H009LK3-13CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 31-DMT10H009LK3-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	DMT10H009LK3-13
Descriere	MOSFET BVDSS: 61V~100V TO252 T&R
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 90A (Tc) 1,7W (Ta) Montare pe suprafață TO-252 (DPAK)
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	DMT10H009LK3-13 Modele

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Diodes Incorporated
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	90A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	9mOhm la 20A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	20 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	2309 pF @ 50 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,7W (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	TO-252 (DPAK)
Pachet/cutie	TO-252-3, DPAK (2 conductoare + lamelă), SC-63
Număr produs de bază	DMT10