Name: DMP65H20D0HSS-13
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND
Price: 7.5988 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMP65H20D0HSS-13
Numărul produsului DigiKey	31-DMP65H20D0HSS-13TR-ND - Bandă și mosor (TR) 31-DMP65H20D0HSS-13CT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) 31-DMP65H20D0HSS-13DKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	DMP65H20D0HSS-13
Descriere	MOSFET BVDSS: 501V~650V SO-8 T&R
Termen de livrare standard al producătorului	24 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 600 V 200mA (Ta) 1,9W (Ta) Montare pe suprafață 8-SO
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Diodes Incorporated
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	600 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	200mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	20Ohm la 200mA, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	9.7 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	400 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	1,9W (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	–
Calificare	–
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-SO
Pachet/cutie	8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)