Name: DMN65D8LFB-7B
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMN65D8LFB-7BDITR-ND
Price: 1.6214 RON
Availability: OutOfStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMN65D8LFB-7B
Numărul produsului DigiKey	DMN65D8LFB-7BDITR-ND - Bandă și mosor (TR) DMN65D8LFB-7BDICT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) DMN65D8LFB-7BDIDKR-ND - Digi-Reel®
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	DMN65D8LFB-7B
Descriere	MOSFET N-CH 60V 260MA 3DFN
Termen de livrare standard al producătorului	40 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 60 V 260mA (Ta) 430mW (Ta) Montare pe suprafață X1-DFN1006-3
Fișă de date	Fișă de date
Modele EDA/CAD	DMN65D8LFB-7B Modele

Atributele produsului

Filtrați produsele similare

Afișați atributele goale

Categorie Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale	Vgs (Max) ±20V
Prod. Diodes Incorporated	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 25 pF @ 25 V
Ambalaj Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Caracteristică FET –
Stare piesă Activ	Disipare putere (Max) 430mW (Ta)
Tip FET Canal-N	Temperatură de funcționare -55°C – 150°C (TJ)
Tehnologie MOSFET (oxid metalic)	Grad –
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 60 V	Calificare –
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 260mA (Ta)	Tip montare Montare pe suprafață
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V, 10V	Pachet dispozitiv furnizor X1-DFN1006-3
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 3Ohm la 115mA, 10V	Pachet/cutie 3-UFDFN
Vgs(th) (Max) la Id 2V la 250µA	Număr produs de bază DMN65

Raportați o eroare legată de informațiile despre produs

Documente și media

Clasificări referitoare la mediu și export

Resurse suplimentare

În stoc: 0

Verificați termenul de livrare

Solicitare de notificare privind stocul

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Bandă tăiată la lungime (CT) & Digi-Reel®

* All Digi-Reel orders will add a 29,00 lei reeling fee.

Bandă și mosor (TR)