Name: BS107PSTZ
Brand: Diodes Incorporated
SKU: BS107PSTZTB-ND
Price: 7.0664 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

BS107PSTZ
Numărul produsului DigiKey	BS107PSTZDICT-ND - Bandă tăiată la lungime (CT) BS107PSTZTB-ND - Bandă și cutie (TB)
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	BS107PSTZ
Descriere	MOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
Termen de livrare standard al producătorului	12 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 200 V 120mA (Ta) 500mW (Ta) Orificiu străpuns E-Line (compatibil cu TO-92)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Diodes Incorporated
Serie	-
Ambalaj	Bandă tăiată la lungime (CT) Bandă și cutie (TB)
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	2,6V, 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	30Ohm la 100mA, 5V
Vgs(th) (Max) la Id	–
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	85 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	500mW (Ta)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	E-Line (compatibil cu TO-92)
Pachet/cutie	E-Line-3
Număr produs de bază	BS107