CDM2206-800LR SL PBFREE este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar

IPP80R1K2P7XKSA1
Rochester Electronics, LLC
În stoc: 75.775
Preț unitar : 7,11000 lei
Fișă de date

Similar

STP7LN80K5
STMicroelectronics
În stoc: 445
Preț unitar : 12,64000 lei
Fișă de date

Similar

STP9NK60Z
STMicroelectronics
În stoc: 862
Preț unitar : 15,36000 lei
Fișă de date

Similar

TK7E80W,S1X
Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 70
Preț unitar : 19,18000 lei
Fișă de date
Vedeți și comparați toate produsele înlocuitoare
Canal-N 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

CDM2206-800LR SL PBFREE

Numărul produsului DigiKey
1514-CDM2206-800LRSLPBFREE-ND
Producător
Central Semiconductor Corp
Numărul produsului producătorului
CDM2206-800LR SL PBFREE
Descriere
MOSFET N-CH 800V 6A TO220
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 800 V 6A (Tc) 110W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Central Semiconductor Corp
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
800 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
6A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
950mOhm la 3A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
24.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
110W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet/cutie
TO-220-3
Număr produs de bază
CDM2206
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.