CDM22010-650 SL este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


Rochester Electronics, LLC
În stoc: 75.775
Preț unitar : 7,11000 lei
Fișă de date

Similar


Rochester Electronics, LLC
În stoc: 10.047
Preț unitar : 3,81774 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 896
Preț unitar : 14,09000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 1.063
Preț unitar : 15,05000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 445
Preț unitar : 12,64000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

CDM22010-650 SL

Numărul produsului DigiKey
CDM22010-650SL-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
CDM22010-650 SL
Descriere
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 10A (Ta) 2W (Ta), 156W (Tc) Orificiu străpuns TO-220-3
Modele EDA/CAD
CDM22010-650 SL Modele
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1Ohm la 5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (Max)
30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1168 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
2W (Ta), 156W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220-3
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.