Canal-N 500 V 12A (Tc) 250W (Tc) Orificiu străpuns TO-262
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

AOW12N50

Numărul produsului DigiKey
AOW12N50-ND
Producător
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Numărul produsului producătorului
AOW12N50
Descriere
MOSFET N-CH 500V 12A TO262
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 500 V 12A (Tc) 250W (Tc) Orificiu străpuns TO-262
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Canal-N
Tehnologie
MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
12A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
520mOhm la 6A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
37 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1633 pF @ 25 V
Caracteristică FET
–
Disipare putere (Max)
250W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
–
Calificare
–
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-262
Pachet/cutie
TO-262-3 conductoare lungi, I2PAK, TO-262AA
Număr produs de bază
AOW12
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică.