AOT8N65 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


IXYS
În stoc: 240
Preț unitar : 30,67000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 5,91986 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 70
Preț unitar : 19,18000 lei
Fișă de date
Canal-N 650 V 8A (Tc) 208W (Tc) Orificiu străpuns TO-220
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

AOT8N65

Numărul produsului DigiKey
AOT8N65-ND
Producător
Numărul produsului producătorului
AOT8N65
Descriere
MOSFET N-CH 650V 8A TO220
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 650 V 8A (Tc) 208W (Tc) Orificiu străpuns TO-220
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Tub
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
650 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,15Ohm la 4A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
1400 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
208W (Tc)
Temperatură de funcționare
-55°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
TO-220
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.