AOD6N50 este inactual și nu se mai fabrică.
Produse înlocuitoare disponibile:

Similar


onsemi
În stoc: 2.488
Preț unitar : 7,59000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 3,18675 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 958
Preț unitar : 11,58000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 3,38917 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 1.748
Preț unitar : 11,58000 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 1,85775 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 1,77383 lei
Fișă de date

Similar


Vishay Siliconix
În stoc: 0
Preț unitar : 1,77383 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 0
Preț unitar : 8,12000 lei
Fișă de date

Similar


STMicroelectronics
În stoc: 3.309
Preț unitar : 7,46000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 3.859
Preț unitar : 9,43000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 1.699
Preț unitar : 9,65000 lei
Fișă de date

Similar


Toshiba Semiconductor and Storage
În stoc: 353
Preț unitar : 10,14000 lei
Fișă de date
Canal-N 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață TO-252 (DPAK)
Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

AOD6N50

Numărul produsului DigiKey
785-1482-2-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător
Numărul produsului producătorului
AOD6N50
Descriere
MOSFET N-CH 500V 5.3A TO252
Referință client
Descriere detaliată
Canal-N 500 V 5,3A (Tc) 104W (Tc) Montare pe suprafață TO-252 (DPAK)
Fișă de date
 Fișă de date
Atributele produsului
Tip
Descriere
Selectare globală
Categorie
Prod.
Serie
-
Ambalaj
Bandă și mosor (TR)
Stare piesă
Inactual
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
500 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
1,4Ohm la 2,5A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
4,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
14 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
670 pF @ 25 V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
104W (Tc)
Temperatură de funcționare
-50°C – 150°C (TJ)
Grad
Calificare
Tip montare
Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor
TO-252 (DPAK)
Pachet/cutie
Număr produs de bază
Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

Inactual
Acest produs nu se mai fabrică. Se Produse înlocuitoare.