Diode Schottky SiC Gen 3 de 1.200 V

Cele 16 diode Schottky de 1200 V din carbură de siliciu Gen 3 de la Vishay au un design PIN Schottky (MPS) îmbinat. Acestea combină robustețea ridicată a curentului de supratensiune cu o cădere de tensiune directă scăzută, sarcină capacitivă și curent de scurgere inversă pentru a crește eficiența și fiabilitatea în proiectele de putere în comutație. Structura MPS a diodelor, care au o parte posterioară subțiată prin intermediul tehnologiei de recoacere cu laser, reduce căderea de tensiune directă. Curentul de scurgere inversă tipic scăzut al dispozitivelor reduce pierderile de conducție, asigurând o eficiență ridicată a sistemului în timpul încărcărilor ușoare și al funcționării în gol. Pentru a îmbunătăți și mai mult eficiența, diodele Gen 3 practic nu au nicio coadă de recuperare, spre deosebire de diodele ultrarapide.

Aceste diode oferă PFC c.a./c.c. și redresare de ieșire c.c./c.c. cu frecvență ultra-înaltă în convertoare FBPS și LLC pentru aplicații precum invertoare solare, sisteme de stocare a energiei, acționări și unelte industriale și centre de date.