RA1C030LDT5CL CSP-MOSFET cu rezistență ON ultra-redusă (dimensiune 1006)

RA1C030LD de laROHM este oferit în capsula DSN1006-3 la nivel de plachetă, de mărimea unui cip (1,0 mm x 0,6 mm), care profită de procesul proprietar al ROHM pentru a obține o disipare redusă a puterii împreună cu o miniaturizare mai mare. În ceea ce privește cifra de merit care exprimă relația dintre pierderile de conducție și de comutare (rezistența ON × _Qgd), s-a obținut o valoare de top în industrie, care este cu 20% mai mică decât cea a produselor cu capsulă standard în aceeași capsulă (1,0 mm x 0,6 mm sau mai mică), contribuind la o suprafață de placă semnificativ mai mică, împreună cu o eficiență mai mare într-o varietate de dispozitive compacte. În același timp, structura unică a pachetului ROHM oferă protecție izolată pentru pereții laterali (spre deosebire de produsele standard din același pachet fără protecție). Acest lucru reduce riscul de scurtcircuit datorat contactului dintre componente în dispozitivele compacte care trebuie să recurgă la montajul de înaltă densitate din cauza constrângerilor de spațiu, contribuind la o funcționare mai sigură.