Driver MOSFET SiC și IGBT low-side de 9 A IX4352NE

Driverul de poartă IX4352NE de la IXYS, o tehnologie Littelfuse, este proiectat special pentru a comanda MOSFET-uri SiC și IGBT-uri de mare putere. Ieșirile separate de 9 A pentru sursă și consumator permit o sincronizare adaptată pentru pornire și oprire, minimizând în același timp pierderile de comutare. Un regulator intern de sarcină negativă oferă o polarizare negativă de comandă a porții, selectabilă de către utilizator, pentru o imunitate dV/dt îmbunătățită și o oprire mai rapidă.

Circuitele de detectare a desaturării detectează o stare de supracurent a MOSFET-ului SiC și inițiază o oprire treptată, prevenind astfel un eveniment dV/dt potențial dăunător. Intrarea logică fără inversare, IN, este compatibilă cu TTL și CMOS; schimbătoarele de nivel interne asigură polarizarea necesară pentru a se adapta la tensiuni de polarizare negative de comandă a porții. Caracteristicile suplimentare de protecție includ detectarea blocării la subtensiune (UVLO) și oprirea termică. O ieșire FAULT cu drenă deschisă semnalează o stare de eroare către microcontroler.