EPC

GaN FETs in PQFN Packages

EPC GaN FETs deliver exceptional performance in compact footprints ideal for high-density power conversion

Image of EPC GaN FETs in PQFN PackagesGallium Nitride (GaN) FETs in PQFN packages from EPC deliver exceptional performance in compact footprints ideal for high-density power conversion. These devices offer ultra-low on-resistance, low gate charge, and minimal switching losses, enabling higher efficiency and faster switching speeds than traditional silicon MOSFETs.

With voltage ratings up to 200 V and pulsed current capabilities exceeding 400 A in some parts, these GaN FETs are perfect for demanding applications such as motor drives, robotics, and high-performance computing.

Features
  • Cost-effective
  • Higher performance than a MOSFET
    • Faster
    • Smaller
    • Higher current
  • Ease of use
    • Footprint compatibility maximizes design flexibility
  • Excellent thermal
    • Exposed top
    • Ultra-low thermal resistance
Applications
  • AC/DC chargers
  • High-frequency DC/DC converters
  • Motor drives
  • Solar MPPT
  • Class-D audio

GaN FETs in PQFN Packages

ImagineManufacturer Part NumberDescriereTip FETTehnologieTensiune de la consumator la sursă (Vdss)Available QuantityPrețVedeți detalii
Produse noi
TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PI		EPC2367TRANS GAN 100V DIE,1.5 MOHM, 5PICanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V36106 - Immediate$31.95Vedeți detalii
TRANS GAN 100V DIE .0018OHMEPC2302TRANS GAN 100V DIE .0018OHMCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V119658 - Immediate$37.19Vedeți detalii
TRANS GAN 200V .005OHM 7QFNEPC2304TRANS GAN 200V .005OHM 7QFNCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)200 V18670 - Immediate$39.23Vedeți detalii
TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFNEPC2305TRANS GAN 150V .0022OHM 3X5 7QFNCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)150 V17863 - Immediate$38.19Vedeți detalii
TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFNEPC2306TRANS GAN 100V .0038OHM 3X5PQFNCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V16311 - Immediate$23.63Vedeți detalii
TRANS GAN 200V .010OHM 7QFNEPC2307TRANS GAN 200V .010OHM 7QFNCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)200 V6155 - Immediate$23.63Vedeți detalii
TRANS GAN 150V .006OHM 7QFNEPC2308TRANS GAN 150V .006OHM 7QFNCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)150 V5746 - Immediate$24.19Vedeți detalii

Evaluation Boards

ImagineManufacturer Part NumberDescriereAvailable QuantityPrețVedeți detalii
EVAL BOARD FOR EPC2304EPC90140EVAL BOARD FOR EPC230441 - Immediate$874.02Vedeți detalii
EVAL BOARD FOR EPC2305EPC90143EVAL BOARD FOR EPC230514 - Immediate$874.02Vedeți detalii
EVAL BOARD FOR EPC2306EPC90145EVAL BOARD FOR EPC230657 - Immediate$874.02Vedeți detalii
EVAL BOARD FOR EPC2307EPC90150EVAL BOARD FOR EPC230729 - Immediate$874.02Vedeți detalii
EVAL BOARD FOR EPC2308EPC90148EVAL BOARD FOR EPC230829 - Immediate$874.02Vedeți detalii
EVAL BOARD FOR EPC2302EPC90133EVAL BOARD FOR EPC230244 - Immediate$874.02Vedeți detalii
BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC2367EPC90164BD DEMO 1/2 BRIDGE 100V EPC23670 - Immediate$874.02Vedeți detalii
Published: 2025-04-10

Related Videos

Silanna Semi SL2001 Laser Driver IC for LiDAR & ToF Systems
Silanna Semi SL2001 Laser Driver IC for LiDAR & ToF Systems

Publish Date: 2026-04-20

EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots
EPC 2024 electronica interview: GaN and the future of untethered robots

Publish Date: 2025-01-29

GaN Experts unbox a Gallium Nitride (GaN) Powered Motor Drive Evaluation Kit
GaN Experts unbox a Gallium Nitride (GaN) Powered Motor Drive Evaluation Kit

Publish Date: 2023-09-19

Related Product Highlight

FirePower™ Laser Firing System ICs Silanna FirePower™ laser firing system ICs features up to 10 MHz rep rate limited by temperature rise in laser and other board components.
EPC2367 100 V Enhancement-Mode eGaN® Power Transistor The EPC EPC2367 100 V enhancement-mode eGaN® power transistor is optimized for ultra-high efficiency and power density in high-frequency switching applications.
EPC91107KIT + EPC91110KIT 5 kW GaN AC to 48 V/50 V Reference Solution The EPC EPC91107KIT + EPC91110KIT 5 kW GaN AC to 48 V/50 V reference solution is powered by GaN; EPC2304 (200 V, 5 mΩ) in PFC and EPC2305 (150 V, 3 mΩ) in LLC.

Related Articles and Blogs

Cum se utilizează dispozitivele de putere GaN pentru invertoare de motor superioare din gama medie Dispozitivele de comutare a puterii bazate pe tehnologia de procesare GaN oferă o eficiență mai mare, dimensiuni mai mici și performanțe termice îmbunătățite pentru invertoarele de motor de gamă medie.
Semiconductorii cu bandă interzisă largă asigură eficiența în centrele de date Pentru că centrele de date au cerințe energetice uriașe, sunt necesare soluții de alimentare care pot reduce pierderile de energie, pot crește eficiența și pot îmbunătăți controlul termic.
Semiconductorii cu bandă interzisă largă remodelează lumea transporturilor Întregul sector al transporturilor trece printr-o transformare radicală, cu soluții pentru mașini electrice și hibride și pentru un transport în comun mai curat.
Termene și condiții Notificare privind confidențialitatea Setări pentru modulele cookie
Copyright © 1995-2026, DigiKey. Toate drepturile rezervate.
Membru ECIA/CEDA/ECSN
This site is protected by VikingCloud's Trusted Commerce program
Membru ECIA/CEDA/ECSN