FET-uri, MOSFET-uri individuale

Rezultate : 4

Filtre

Suprapus

Defilare

Date introduse pentru căutare

Se afișează

din 4

Nr. catalog prod.	CANTITATE DISPONIBILĂ	Preț	Serie	Pachet	Stare produs	Tip FET	Tehnologie	Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	Rds pornit (Max) la Id, Vgs	Vgs(th) (Max) la Id	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	Vgs (Max)	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	Caracteristică FET	Disipare putere (Max)	Temperatură de funcționare	Grad	Calificare	Tip montare	Pachet dispozitiv furnizor	Pachet/cutie
IRFB4110PBFXKMA1 TRENCH >=100V Infineon Technologies	988 În stoc	1 : 13,34000 lei Tub	-	Tub	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm la 75A, 10V	4V la 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	–	370W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	–	–	Orificiu străpuns	TO-220AB	TO-220-3
UMWIRFB4110 MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB UMW	884 În stoc	1 : 12,38000 lei Tub	*	Tub	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm la 75A, 10V	4V la 250µA	-	±20V	-	–	370W (Tc)	-55°C – 155°C (TJ)	–	–	Orificiu străpuns	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4110PBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Infineon Technologies	6.711 În stoc	1 : 13,34000 lei Tub	HEXFET®	Tub	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm la 75A, 10V	4V la 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	–	370W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	–	–	Orificiu străpuns	TO-220AB	TO-220-3
IRFB4110GPBF MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB Infineon Technologies	0 În stoc	Inactual	HEXFET®	Tub	Inactual	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	100 V	120A (Tc)	10V	4,5mOhm la 75A, 10V	4V la 250µA	210 nC @ 10 V	±20V	9620 pF @ 50 V	–	370W (Tc)	-55°C – 175°C (TJ)	–	–	Orificiu străpuns	TO-220AB	TO-220-3

Se afișează

din 4

FET-uri, MOSFET-uri individuale

Tranzistoarele individuale cu efect de câmp (FET) și tranzistoarele cu efect de câmp de tip metal-oxid-semiconductor (MOSFET) sunt tipuri de tranzistoare utilizate pentru amplificarea sau comutarea semnalelor electronice.

Un FET individual funcționează prin controlul fluxului de curent electric între terminalele sursă și drenă prin intermediul unui câmp electric generat de o tensiune aplicată la terminalul porții. Principalul avantaj al FET-urilor este impedanța lor de intrare ridicată, ce le face ideale pentru utilizare în amplificarea semnalelor și în circuitele analogice. Se utilizează pe scară largă în aplicații precum amplificatoarele, oscilatoarele și etajele tampon din circuitele electronice.

MOSFET-urile, un subtip de FET-uri, au un terminal de poartă care este izolat de canal printr-un strat subțire de oxid, ceea ce le sporește performanța și le face foarte eficiente. MOSFET-urile pot fi în continuare clasificate în două tipuri:

MOSFET-uri cu canal N: unde electronii sunt purtătorii principali.
MOSFET-uri cu canal P: unde golurile sunt purtătorii principali.

MOSFET-urile sunt preferate în multe aplicații datorită consumului redus de energie, vitezei mari de comutare și capacității lor de a gestiona curenți și tensiuni mari. Sunt esențiale în circuitele digitale și analogice, inclusiv în sursele de alimentare, driverele de motoare și aplicațiile de radiofrecvență.

Funcționarea MOSFET-urilor poate fi împărțită în două moduri:

Mod de îmbunătățire: în acest mod, MOSFET-ul este în mod normal oprit atunci când tensiunea poartă-sursă este zero. Pentru a se activa, acesta necesită o tensiune poartă-sursă pozitivă (pentru canalul N) sau o tensiune poartă-sursă negativă (pentru canalul P).
Mod de epuizare: în acest mod, MOSFET-ul este în mod normal pornit atunci când tensiunea poartă-sursă este zero. Aplicarea unei tensiuni poartă-sursă de polaritate opusă îl poate dezactiva.

MOSFET-urile au mai multe avantaje, cum ar fi:

Eficiență ridicată: consumă foarte puțină energie și pot comuta rapid între stări, fiind foarte eficiente pentru aplicațiile de gestionare a energiei.
Rezistență scăzută la pornire: au o rezistență scăzută atunci când sunt pornite, ceea ce minimizează pierderea de energie și generarea de căldură.
Impedanță de intrare ridicată: structura izolată a porții are ca rezultat o impedanță de intrare extrem de ridicată, ceea ce le face ideale pentru amplificarea semnalului cu impedanță ridicată.

Pe scurt, FET-urile simple, în special MOSFET-urile, sunt componente fundamentale în electronica modernă, cunoscute pentru eficiența, viteza și versatilitatea lor într-o gamă largă de aplicații, de la amplificarea semnalelor de mică putere la comutarea și controlul de mare putere.