Preț și achiziții
39.069 Produse în stoc
Se poate expedia imediat
 

Cantitate

Adăugare la listă

Toate prețurile sunt în RON.
DIFERENȚĂ DE PREȚ Preț unitar Preț total
1 8.82000 lei8.82
10 7.91200 lei79.12
100 6.35790 lei635.79
500 5.22368 lei2,611.84
1.000 4.32819 lei4,328.19

Trimiteți o cerere de ofertă pentru cantități mai mari decât cele afișate.

Preț unitar
lei8.82000

Exclude VAT

lei10.49580

Include VAT (Goods and Services Tax - Taxă pe bunuri și servicii)

Pachet alternativ
  • Bandă și mosor (TR)  : 917-1186-2-ND
  • Cantitate minimă: 2.500
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 37.500 - Imediat
  • Preț unitar: lei4.07040
  • Digi-Reel®  : 917-1186-6-ND
  • Cantitate minimă: 1
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 39.069 - Imediat
  • Preț unitar: Digi-Reel®
Numărul de catalog Digi-Key 917-1186-1-ND
Copiază  
Producător

EPC

Copiază  
Numărul de catalog al producătorului EPC2045
Copiază  
Descriere GANFET N-CH 100V 16A DIE
Copiază  
Termen de livrare standard al producătorului 12 (de) săptămâni
Descriere detaliată

Canal-N 100V 16A (Ta) – Montare pe suprafață Matriță

Copiază  
Referință client
Documente și media
Fișe de date EPC2045
Informații referitoare la mediul înconjurător EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Produs recomandat Gen 5 eGaN® FET
100V Gen 5 Family
Bibliotecă de proiecte de referinţă EPC9130: 12V @ 50A, 36 ~ 60V in, 5-Phase Buck
PCN Ansamblu/Origine Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
Fișă de date HTML EPC2045
Modele EDA/CAD EPC2045 by Ultra Librarian
Atributele produsului
TIP Descriere SELECTARE GLOBALĂ
Categorii
Producător EPC
Serie eGaN®
Ambalaj Bandă tăiată la lungime (CT) 
Stare piesă Activ
Tip FET Canal-N
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 16A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 7mOhm la 16A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 6,5nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 685pF @ 50V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tip montare Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor Matriță
Pachet/cutie Matriță
 
Clasificări referitoare la mediu și export
Statut RoHS Conform cu ROHS3
Nivel sensibilitate la umezeală (MSL) 1 (nelimitat)
Produse asociate Vedeți mai multe

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei17.98000 Detalii

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei15.60000 Detalii

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei23.36000 Detalii

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei21.58000 Detalii

LM5113QDPRRQ1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

lei21.20000 Detalii

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei24.80000 Detalii
V-ar mai putea interesa și

EPC2053

GANFET N-CH 100V 48A DIE

EPC

lei14.08000 Detalii

EPC2015C

GANFET N-CH 40V 53A DIE

EPC

lei20.52000 Detalii

EPC2218

GANFET N-CH 100V DIE

EPC

lei19.16000 Detalii

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei17.98000 Detalii

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei15.60000 Detalii

GB02SLT12-214

DIODE SCHOTTKY 1.2KV 2A DO214AA

GeneSiC Semiconductor

lei16.49000 Detalii
Resurse suplimentare
Pachet standard 1
Alte nume 917-1186-1