Rețele IGBT

Se afișează

din 20

Nr. catalog prod.	CANTITATE DISPONIBILĂ	Preț	Serie	Pachet	Stare produs	Tip IGBT	Configurație	Tensiune - Străpungere emițător colector (Max)	Curent - Colector (Ic) (Max)	Putere - Max	Vce(on) (Max) la Vge, Ic	Curent - Decuplare colector (Max)	Capacitanță intrare (Cies) la Vce	Intrare	Termistor NTC	Temperatură de funcționare	Tip montare	Pachet/cutie	Pachet dispozitiv furnizor
MMIX4G20N250 IGBT F BRIDGE 2500V 23A 24SMPD IXYS	301 În stoc 400 Fabrică	1 : 504,07000 lei Tub	-	Tub	Activ	–	Punte completă	2500 V	23 A	100 W	3,1V la 15V, 20A	10 µA	1.19 nF @ 15 V	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 24-SMD, 9 derivații	24-SMPD
MMIX4B22N300 IGBT TRANS 3000V 38A IXYS	54 În stoc	1 : 412,44000 lei Tub	BIMOSFET™	Tub	Activ	–	Punte completă	3000 V	38 A	150 W	2,7V la 15V, 22A	35 µA	2.2 nF @ 25 V	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 24-SMD, 9 derivații	24-SMPD
MMIX4B20N300 IGBT F BRIDGE 3000V 34A 24SMPD IXYS	0 În stoc Verificați termenul de livrare	1 : 580,59000 lei Tub	BIMOSFET™	Tub	Activ	–	Punte completă	3000 V	34 A	150 W	3,2V la 15V, 20A	-	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 24-SMD, 9 derivații	24-SMPD
STGSH50M120D TRENCH GATE FIELD-STOP, 1200 V, STMicroelectronics	0 În stoc Verificați termenul de livrare	1 : 98,80000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 200 : 56,40625 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	–	Semi-punte	1200 V	69 A	536 W	2,3V la 15V, 50A	25 µA	3152 pF @ 25 V	Standard	Nu	-55°C – 175°C (TJ)	Montare pe suprafață	9-PowerSMD	9-ACEPACK SMIT
FII30-06D IGBT H BRIDGE 600V 30A I4PAK5 IXYS	0 În stoc	25 : 30,28240 lei Tub	-	Tub	Inactual	NPT	Semi-punte	600 V	30 A	100 W	2,4V la 15V, 20A	600 µA	1.1 nF @ 25 V	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII40-06D IGBT H BRIDGE 600V 40A I4PAK5 IXYS	0 În stoc	25 : 33,24640 lei Vrac	-	Vrac	Inactual	NPT	Semi-punte	600 V	40 A	125 W	2,2V la 15V, 25A	600 µA	1.6 nF @ 25 V	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 În stoc	Activ	-	Cutie	Activ	NPT	Semi-punte	1700 V	18 A	140 W	6V la 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII24N17AH1S IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 În stoc	Activ	-	Cutie	Activ	NPT	Semi-punte	1700 V	18 A	140 W	6V la 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Nu	–	Orificiu străpuns	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII30-12E IGBT H BRIDGE 1200V 33A I4PAK5 IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Tub	Inactual	NPT	Semi-punte	1200 V	33 A	150 W	2,9V la 15V, 20A	200 µA	1.2 nF @ 25 V	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
FII50-12E IGBT H BRIDGE 1200V 50A I4PAK5 IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Tub	Inactual	NPT	Semi-punte	1200 V	50 A	200 W	2,6V la 15V, 30A	400 µA	2 nF @ 25 V	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	i4-Pac™-5	ISOPLUS i4-PAC™
IXA20PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Tub	Inactual	PT	Semi-punte	1200 V	32 A	130 W	2,1V la 15V, 15A	125 µA	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA20PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 32A SMPD IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Bandă și mosor (TR)	Inactual	PT	Semi-punte	1200 V	32 A	130 W	2,1V la 15V, 15A	125 µA	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Tub	Inactual	PT	Semi-punte	1200 V	43 A	150 W	2,2V la 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA30PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 43A SMPD IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Bandă și mosor (TR)	Inactual	PT	Semi-punte	1200 V	43 A	150 W	2,2V la 15V, 25A	2.1 mA	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Tub	Inactual	PT	Semi-punte	1200 V	63 A	230 W	2,15V la 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40PG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Bandă și mosor (TR)	Inactual	PT	Semi-punte	1200 V	63 A	230 W	2,15V la 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TUB IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 În stoc	Inactual	ISOPLUS™	Tub	Inactual	PT	Semi-punte	1200 V	63 A	230 W	2,15V la 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
IXA40RG1200DHG-TRR IGBT H BRIDGE 1200V 63A SMPD IXYS	0 În stoc	Inactual	ISOPLUS™	Bandă și mosor (TR)	Inactual	PT	Semi-punte	1200 V	63 A	230 W	2,15V la 15V, 35A	150 µA	-	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	Modul 9-SMD	ISOPLUS-SMPD™.B
FII24N170AH1 IGBT H BRIDGE 1700V 18A I4PAK5 IXYS	0 În stoc	Inactual	-	Tub	Inactual	NPT	Semi-punte	1700 V	18 A	140 W	6V la 15V, 16A	100 µA	2.4 nF @ 25 V	Standard	Nu	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	i4-Pac™-4, Izolat	ISOPLUS i4-PAC™
AOMU66464Q AOMU66464Q Alpha & Omega Semiconductor Inc.	0 În stoc	Inactual	-	Vrac	Inactual	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-	-

Se afișează

din 20

Tranzistoarele bipolare cu poartă izolată (IGBT) sunt dispozitive semiconductoare de putere cu trei terminale, de înaltă eficiență și cu comutare rapidă, utilizate în principal ca întrerupătoare electronice. Acestea sunt utilizate în sursele de alimentare cu comutație în aplicații de mare putere, cum ar fi acționările cu frecvență variabilă (VFD), automobilele electrice, trenurile, balasturile de lampă și aparatele de aer condiționat, precum și în amplificatoarele cu comutație – sisteme de sunet și sisteme de control industrial. Rețelele IGBT conțin mai multe dispozitive într-un singur pachet, în configurații cu punte completă sau cu punte parțială.