Rețele FET, MOSFET

Rezultate : 5.703
Producător
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Ambalaj
Bandă tăiată la lungime (CT)Bandă și mosor (TR)BandăCutieDigi-Reel®TavăTubVrac
Stare produs
ActivDigi-Key nu mai oferă acest produsInactualNu pentru designuri noiUltima ocazie de cumpărare
Tehnologie
–GaNFET (nitrură de galiu)MOSFET (oxid metalic)SiCFET (silicon carbid)Silicon carbid (SiC)
Configurație
2 canal N, drenă comună2 canale N (dublu), canal P2 canale N și 2 P (punte completă)2 canale N, sursă comună (semi-punte)2 canale P2 canale P (semi-punte)2 x canal N, drenă comună, sursă comunăCanal 2 NCanal 2 N (amplificator cu 2 etape)Canal 2 N (dublu)Canal 2 N (dublu), SchottkyCanal 2 N (întrerupător de coborâre dublu)
Caracteristică FET
–Mod epuizarePoartă logicăPoartă logică, Drive 0,9VPoartă logică, Drive 1,2VPoartă logică, Drive 1,5VPoartă logică, Drive 1,8VPoartă logică, Drive 2,5VPoartă logică, Drive 4,5VPoartă logică, Drive 4VPoartă logică, Drive 5VPoartă nivel logic, unitate 10VSilicon carbid (SiC)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
0,46mOhm la 160A, 12V0,762mOhm la 160A, 12V0,765mOhm la 160A, 12V, 0,580mOhm la 160A, 12V0,765mOhm la 160A, 12V, 0,710mOhm la 160A, 12V0,8mOhm la 1200A, 10V0,88mOhm la 160A, 14V, 0,71mOhm la 160A, 14V0,88mOhm la 50A, 10V0,95mOhm la 30A, 10V0,95mOhm la 8A, 4,5V0,99mOhm la 80A, 10V, 1,35mOhm la 80A, 10V1,039mOhm la 160A, 12V, 762µOhm la 160A, 12V1,15mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
10mV la 10µA10mV la 1µA10mV la 20µA20mV la 10µA20mV la 1µA20mV la 20µA180mV la 1µA200mV la 2,8A, 200mV la 1,9A220mV la 1µA360mV la 1µA380mV la 1µA400mV la 250µA (min.)
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
0,4pC la 4,5V, 7,3nC la 4,5V0,45pC la 4,5V50pC @ 4.5V0,16nC la 5V, 0,044nC la 5V0,22nC la 5V, 0,044nC la 5V0,26nC la 2,5V0,28nC la 4,5V0,28nC la 4,5V, 0,3nC la 4,5V0,3nC la 4,5V0,3nC la 4,5V, 0,28nC la 4,5V0,304nC la 4,5V0,31nC la 4,5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2,5pF la 5V3pF la 5V5pF la 3V6pF la 3V6,2pF la 10V6,6pF la 10V7pF la 10V7pF la 3V7,1pF la 10V7,4pF la 10V7,5pF la 10V8,5pF la 3V
Putere - Max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatură de funcționare
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C
Grad
–AutomobileDe grad militar
Calificare
–AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tip montare
–Cu montare pe carcasăMontare pe suprafațăMontare pe suprafață, Flanc umectabilOrificiu străpuns
Pachet/cutie
4-SMD, Fără derivație4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP
Pachet dispozitiv furnizor
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
PRODUS MARKETPLACE
5.703Rezultate
Se afișează
din 5.703
Comparare
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tehnologie
Configurație
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Putere - Max
Temperatură de funcționare
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet/cutie
Pachet dispozitiv furnizor
392.662
În stoc
1 : 0,95000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,18587 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
60V
300mA
1,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0,6nC la 4,5V
40pF la 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
747.849
În stoc
1 : 1,31000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,27698 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
1V la 1mA
–
25pF la 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
348.539
În stoc
1 : 1,31000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,28188 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
800mV la 1mA
–
26pF la 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
DT2042-04SOQ-7
DMN2004DMK-7
MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT26
Diodes Incorporated
144.170
În stoc
1 : 1,31000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,53157 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
540mA
550mOhm la 540mA, 4,5V
1V la 250µA
–
150pF la 16V
225mW
-65°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-6
SOT-26
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
169.581
În stoc
1 : 1,35000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,54000 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P, Drenaj comun
Poartă logică
30V
6A, 5,5A
30mOhm la 6A, 10V
2,4V la 250µA
6,3nC la 10V
310pF la 15V
2W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
8-SOIC
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2.139
În stoc
1 : 1,40000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,27494 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
320mA
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,4V la 250µA
0,8nC la 4,5V
50pF la 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q100
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
191.399
În stoc
1 : 1,44000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,30593 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm la 100mA, 4,5V
1V la 1mA
–
12pF la 10V
300mW
150°C
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
102.435
În stoc
1 : 1,44000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 0,27670 lei
Bandă și mosor (TR)
1 : 1,98000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
600mA
620mOhm la 600mA, 4,5V
950mV la 250µA
0,7nC la 4,5V
21,3pF la 10V
265mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 6-XFDFN
DFN1010B-6
35.094
În stoc
1 : 1,44000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,28589 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică, Drive 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm la 800mA, 4,5V, 390mOhm la 800mA, 4,5V
1V la 1mA
1nC la 10V
55pF la 10V, 100pF la 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
129.193
În stoc
1 : 1,49000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,26880 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
60V
230mA
7,5Ohm la 50mA, 5V
2V la 250µA
–
50pF la 25V
310mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
63.382
În stoc
1 : 1,58000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,42678 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
610mA (Ta)
396mOhm la 500mA, 4,5V
1V la 250µA
2nC la 8V
43pF la 10V
220mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
60.234
În stoc
1 : 1,62000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,33337 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
20V
500mA, 330mA
630mOhm la 200mA, 5V
1V la 1mA
1,23nC la 4V
46pF la 10V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
42.005
În stoc
1 : 1,62000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,43389 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
30V
250mA
1,5Ohm la 10mA, 4V
1,5V la 100µA
1,3nC la 5V
33pF la 5V
272mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
36.621
În stoc
1 : 1,62000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,44172 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
950mA
350mOhm la 950mA, 4,5V
1,2V la 1,6µA
0,32nC la 4,5V
63pF la 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
126.838
În stoc
1 : 1,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,50063 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
30V
7A (Ta)
20mOhm la 7A, 10V
2,3V la 250µA
20nC la 10V
600pF la 15V
1,7W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
8-SOIC
6DFN
PMCXB900UEZ
MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
101.982
În stoc
1 : 1,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 0,42932 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Complementar canal N și P
Poartă logică
20V
600mA, 500mA
620mOhm la 600mA, 4,5V
950mV la 250µA
0,7nC la 4,5V
21,3pF la 10V
265mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 6-XFDFN
DFN1010B-6
Pkg 5880
SI1024X-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 485MA SC89
Vishay Siliconix
85.233
În stoc
1 : 1,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,67500 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
485mA
700mOhm la 600mA, 4,5V
900mV la 250µA
0,75nC la 4,5V
–
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
416.900
În stoc
1.608.000
Fabrică
1 : 1,76000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,46929 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
0,3nC la 4,5V
30pF la 25V, 25pF la 25V
450mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
60.746
În stoc
80.000
Fabrică
1 : 1,76000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,47515 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
20V
540mA, 430mA
550mOhm la 540mA, 4,5V
1V la 250µA
2,5nC la 4,5V
150pF la 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
55.869
În stoc
549.000
Fabrică
1 : 1,76000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,47139 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
60V
280mA
7,5Ohm la 50mA, 5V
2,5V la 250µA
–
50pF la 25V
150mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
6DFN
PMDXB550UNEZ
MOSFET 2N-CH 30V 0.59A 6DFN
Nexperia USA Inc.
23.886
În stoc
1 : 1,76000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 0,45187 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
30V
590mA
670mOhm la 590mA, 4,5V
950mV la 250µA
1,05nC la 4,5V
30,3pF la 15V
285mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 6-XFDFN
DFN1010B-6
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
17.854
În stoc
438.000
Fabrică
1 : 1,76000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,59454 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
30V
6,2A
30mOhm la 5,8A, 10V
2V la 250µA
10,6nC la 10V
500pF la 15V
1W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 6-UDFN
U-DFN2020-6 (tip B)
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
326.108
În stoc
1 : 1,80000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,32777 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
320mA
1,6Ohm la 300mA, 10V
1,5V la 250µA
0,8nC la 4,5V
50pF la 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
MCMNP2065A-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
14.875
În stoc
1 : 1,80000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,48510 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N
–
30V
5A
32mOhm la 5,8A, 10V
1,5V la 250µA
–
1155pF la 15V
1,4W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 6-VDFN
DFN2020-6L
SC-70-6
SI1926DL-T1-E3
MOSFET 2N-CH 60V 0.37A SC70-6
Vishay Siliconix
8.496
În stoc
1 : 1,80000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,60335 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
370mA
1,4Ohm la 340mA, 10V
2,5V la 250µA
1,4nC la 10V
18,5pF la 30V
510mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
Se afișează
din 5.703

Rețele FET, MOSFET

Tranzistoarele cu efect de câmp (FET) sunt dispozitive electronice care utilizează un câmp electric pentru a controla fluxul de curent. Aplicarea unei tensiuni la terminalul de poartă alterează conductivitatea dintre terminalele de drenă și sursă. De asemenea, FET-urile sunt cunoscute și ca tranzistoare unipolare, deoarece implică o funcționare cu o singură frecvență purtătoare. Altfel spus, FET-urile utilizează electronii sau orificiile ca purtători de sarcină în funcționarea lor, dar nu ambele. În general, tranzistoarele cu efect de câmp prezintă o impedanță de intrare foarte mare la frecvențe joase.