Rețele FET, MOSFET

Rezultate : 5.658
Producător
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.BruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™CoolSiC™CoolSiC™+DeepGATE™, STripFET™ H6
Ambalaj
Bandă tăiată la lungime (CT)Bandă și mosor (TR)CutieDigi-Reel®TavăTubVrac
Stare produs
ActivDigi-Key nu mai oferă acest produsInactualNu pentru designuri noiUltima ocazie de cumpărare
Tehnologie
GaNFET (nitrură de galiu)MOSFET (oxid metalic)SiCFET (silicon carbid)Silicon carbid (SiC)
Configurație
2 canal N, drenă comună2 canale N (dublu), canal P2 canale N și 2 P (punte completă)2 canale P (semi-punte)2 canale PCanal 2 N (Semi-punte)Canal 2 N (amplificator cu 2 etape)Canal 2 N (dublu)Canal 2 N (dublu), SchottkyCanal 2 N (piesă polară fază)Canal 2 N (întrerupător de coborâre dublu)Canal 2 N asimetric (dublu)
Caracteristică FET
Mod epuizarePoartă logicăPoartă logică, Drive 0,9VPoartă logică, Drive 1,2VPoartă logică, Drive 1,5VPoartă logică, Drive 1,8VPoartă logică, Drive 2,5VPoartă logică, Drive 4,5VPoartă logică, Drive 4VPoartă logică, Drive 5VPoartă nivel logic, unitate 10VSilicon carbid (SiC)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
0,46mOhm la 160A, 12V0,762mOhm la 160A, 12V0,765mOhm la 160A, 12V, 0,580mOhm la 160A, 12V0,765mOhm la 160A, 12V, 0,710mOhm la 160A, 12V0,8mOhm la 1200A, 10V0,88mOhm la 160A, 14V, 0,71mOhm la 160A, 14V0,88mOhm la 50A, 10V0,95mOhm la 30A, 10V0,95mOhm la 8A, 4,5V0,99mOhm la 80A, 10V, 1,35mOhm la 80A, 10V1,039mOhm la 160A, 12V, 762µOhm la 160A, 12V1,2mOhm la 800A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
10mV la 10µA10mV la 1µA10mV la 20µA20mV la 10µA20mV la 1µA20mV la 20µA180mV la 1µA200mV la 2,8A, 200mV la 1,9A220mV la 1µA360mV la 1µA380mV la 1µA400mV la 250µA (min.)
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
0,4pC la 4,5V, 7,3nC la 4,5V0,45pC la 4,5V0,16nC la 5V, 0,044nC la 5V0,22nC la 5V, 0,044nC la 5V0,26nC la 2,5V0,28nC la 4,5V0,28nC la 4,5V, 0,3nC la 4,5V0,3nC la 4,5V0,3nC la 4,5V, 0,28nC la 4,5V0,304nC la 4,5V0,31nC la 4,5V0,32nC la 4,5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2,5pF la 5V3pF la 5V5pF la 3V6pF la 3V6,2pF la 10V6,6pF la 10V7pF la 10V7pF la 3V7,1pF la 10V7,4pF la 10V7,5pF la 10V8,5pF la 3V
Putere - Max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)
Temperatură de funcționare
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-55°C – 175°C-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C (TA)
Grad
AutomobileDe grad militar
Calificare
AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tip montare
Cu montare pe carcasăMontare pe suprafațăMontare pe suprafață, Flanc umectabilOrificiu străpuns
Pachet/cutie
4-SMD, Fără derivație4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP
Pachet dispozitiv furnizor
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
PRODUS MARKETPLACE
5.658Rezultate

Se afișează
din 5.658
Comparare
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tehnologie
Configurație
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Putere - Max
Temperatură de funcționare
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet/cutie
Pachet dispozitiv furnizor
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
794.869
În stoc
1 : 1,21000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,26593 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
1V la 1mA
25pF la 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
357.966
În stoc
1 : 1,21000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,27184 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
800mV la 1mA
26pF la 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
164.600
În stoc
1 : 1,58000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,28627 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
60V
230mA
7,5Ohm la 50mA, 5V
2V la 250µA
50pF la 25V
310mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
71.167
În stoc
1 : 1,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,44101 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
610mA (Ta)
396mOhm la 500mA, 4,5V
1V la 250µA
2nC la 8V
43pF la 10V
220mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
350.243
În stoc
1 : 1,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,29980 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm la 100mA, 4,5V
1V la 1mA
12pF la 10V
300mW
150°C
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT-363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
98.452
În stoc
1 : 1,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,44835 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
30V
250mA
1,5Ohm la 10mA, 4V
1,5V la 100µA
1,3nC la 5V
33pF la 5V
272mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
80.560
În stoc
1 : 1,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,27920 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
295mA
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
0,9nC la 4,5V
26pF la 20V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363 PKG
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
20.647
În stoc
1 : 1,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,45644 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
950mA
350mOhm la 950mA, 4,5V
1,2V la 1,6µA
0,32nC la 4,5V
63pF la 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
18.476
În stoc
1 : 1,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,30008 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
320mA
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,4V la 250µA
0,8nC la 4,5V
50pF la 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q100
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
8 SO
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
250.843
În stoc
305.000
Fabrică
1 : 1,72000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
2.500 : 0,46305 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 P (dublu)
Poartă logică
30V
3,9A
70mOhm la 5,3A, 10V
3V la 250µA
11nC la 10V
563pF la 25V
1,1W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
8-SO
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
46.439
În stoc
1 : 1,77000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
8.000 : 0,37807 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
800mV la 1mA
26pF la 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
52.923
În stoc
645.000
Fabrică
1 : 1,81000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,39764 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm la 3,4A, 10V
1,5V la 250µA
12,3nC la 10V
422pF la 15V
850mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-6 subțire, TSOT-23-6
TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3155CT1G
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
onsemi
29.999
În stoc
1 : 1,81000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,49098 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
20V
540mA, 430mA
550mOhm la 540mA, 4,5V
1V la 250µA
2,5nC la 4,5V
150pF la 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
Diodes Incorporated
435.312
În stoc
1.752.000
Fabrică
1 : 1,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,50201 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
60V
500mA, 360mA
1,7Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
0,3nC la 4,5V
30pF la 25V, 25pF la 25V
450mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
167.927
În stoc
2.811.000
Fabrică
1 : 1,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,33443 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
20V
1,03A, 700mA
480mOhm la 200mA, 5V
900mV la 250µA
0,5nC la 4,5V
37,1pF la 10V
450mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
77.817
În stoc
1 : 1,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,33508 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
30V
100mA
4Ohm la 10mA, 4V
1,5V la 100µA
8,5pF la 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 563
2N7002VC-7
MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563
Diodes Incorporated
64.973
În stoc
1 : 1,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,50201 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
60V
280mA
7,5Ohm la 50mA, 5V
2,5V la 250µA
50pF la 25V
150mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
MCM2301-TP
MCM3400A-TP
MOSFET 2N-CH 30V 5A 6DFN
Micro Commercial Co
24.382
În stoc
1 : 1,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,50127 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N
30V
5A
32mOhm la 5,8A, 10V
1,5V la 250µA
1155pF la 15V
1,4W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 6-VDFN
DFN2020-6L
U-DFN2020-6
DMN3032LFDB-7
MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 6UDFN
Diodes Incorporated
16.736
În stoc
1 : 1,86000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,63316 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
30V
6,2A
30mOhm la 5,8A, 10V
2V la 250µA
10,6nC la 10V
500pF la 15V
1W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 6-UDFN
U-DFN2020-6 (tip B)
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
103.322
În stoc
1 : 1,91000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,34351 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
300mA
3Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
0,6nC la 10V
20pF la 25V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
56.725
În stoc
1 : 1,91000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,34033 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 P (dublu)
Poartă logică
50V
160mA
7,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0,35nC la 5V
36pF la 25V
445mW
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT 363
SI1539CDL-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 30V 0.7A SC70-6
Vishay Siliconix
1.194
În stoc
1 : 1,91000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,51451 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
30V
700mA, 500mA
388mOhm la 600mA, 10V
2,5V la 250µA
1,5nC la 10V
28pF la 15V
340mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-70-6
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
348.026
În stoc
1 : 1,95000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,34906 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
320mA
1,6Ohm la 300mA, 10V
1,5V la 250µA
0,8nC la 4,5V
50pF la 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
257.227
În stoc
1 : 1,95000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,35487 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
300mA (Ta)
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,1V la 250µA
0,6nC la 4,5V
50pF la 10V
295mW
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
8-SOIC
AO4629
MOSFET N/P-CH 30V 6A/5.5A 8SOIC
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
170.198
În stoc
1 : 1,95000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,66503 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P, Drenaj comun
Poartă logică
30V
6A, 5,5A
30mOhm la 6A, 10V
2,4V la 250µA
6,3nC la 10V
310pF la 15V
2W
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)
8-SOIC
Se afișează
din 5.658

Rețele FET, MOSFET


Tranzistoarele cu efect de câmp (FET) sunt dispozitive electronice care utilizează un câmp electric pentru a controla fluxul de curent. Aplicarea unei tensiuni la terminalul de poartă alterează conductivitatea dintre terminalele de drenă și sursă. De asemenea, FET-urile sunt cunoscute și ca tranzistoare unipolare, deoarece implică o funcționare cu o singură frecvență purtătoare. Altfel spus, FET-urile utilizează electronii sau orificiile ca purtători de sarcină în funcționarea lor, dar nu ambele. În general, tranzistoarele cu efect de câmp prezintă o impedanță de intrare foarte mare la frecvențe joase.