FET-uri, MOSFET-uri individuale

Rezultate : 41.972
Producător
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Power Inc.ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITEDCambridge GaN DevicesCentral Semiconductor CorpCoherent CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEPCEVVOFairchild Semiconductor
Serie
-*2N7002K4485650AlphaMOSAlphaSGT2™AlphaSGT™aMOS5™aMOS™AP4NA2R2HCAutomotive, AEC-Q101
Ambalaj
Bandă tăiată la lungime (CT)Bandă și cutie (TB)Bandă și mosor (TR)BandăCutieDigi-Reel®PungăTavăTubVrac
Stare produs
ActivDigi-Key nu mai oferă acest produsInactualNu pentru designuri noiUltima ocazie de cumpărare
Tip FET
Canal PCanal-N
Tehnologie
GaNFET (Cascode FET nitrură de galiu)GaNFET (nitrură de galiu)MOSFET (oxid metalic)SiC (tranzistor racord silicon carbid)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
-30 V5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
150µA (Ta)520µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)21mA (Ta)30mA30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
0V0V, 10V0V, 18V0,35V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
0,29mOhm la 50A, 10V0,3mOhm la 200A, 10V0,35mOhm la 50A, 10V0,36mOhm la 100A, 10V0,39mOhm la 100A, 10V0,4mOhm la 150A, 10V0,4mOhm la 30A, 10V0,4mOhm la 50A, 10V0,42mOhm la 50A, 10V0,44mOhm la 88A, 10V0,45mOhm la 30A, 10V0,45mOhm la 30A, 7V
Vgs(th) (Max) la Id
300mV @ 250µA400mV la 1mA (min.)400mV la 250µA400mV la 250µA (min.)450mV la 100µA (min.)450mV la 1mA (min.)450mV la 250µA (min.)450mV la 2mA (min.)500mV la 250µA (min.)570mV la 1mA (tipic)600mV la 1,2mA (min.)600mV la 1mA (min.)
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
0.0007 nC @ 4.5 V0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.21 nC @ 10 V0.22 nC @ 4.5 V0.23 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.28 nC @ 4.5 V0.281 nC @ 10 V
Vgs (Max)
-20V-12V-10V-10V, +20V-8V-8V, +19V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
3.5 pF @ 15 V4.5 pF @ 5 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 3 V6 pF @ 25 V6.2 pF @ 10 V6.5 pF @ 10 V6.5 pF @ 25 V6.6 pF @ 10 V7 pF @ 3 V7 pF @ 10 V
Caracteristică FET
Detectare curentDiodă Schottky (corp)Diodă Schottky (izolată)Diode detectare temperaturăMod epuizare
Disipare putere (Max)
400µW400µW (Ta)500µW (Ta)100mW100mW (Ta)120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW150mW (Ta)150mW (Tc)
Temperatură de funcționare
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 100°C-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)
Grad
AutomobileDe grad militar
Calificare
AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/542MIL-PRF-19500/543MIL-PRF-19500/555MIL-PRF-19500/556MIL-PRF-19500/557MIL-PRF-19500/562MIL-PRF-19500/564MIL-PRF-19500/570MIL-PRF-19500/592MIL-PRF-19500/595MIL-PRF-19500/601
Tip montare
Cu montare pe carcasăMontare pe suprafațăMontare pe suprafață, Flanc umectabilOrificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (0,6x1)3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN (1x0,6)3-FCLGA (3,2x2,2)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR
Pachet/cutie
Plăcuță expusă 2-DFN3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Derivații plate3-PowerTDFN3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Derivații plate3-SMD, Fără derivație3-SMD, Non-standard3-SMD, Variantă SOT-23-3
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
PRODUS MARKETPLACE
41.972Rezultate

Se afișează
din 41.972
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Vgs (Max)
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet dispozitiv furnizor
Pachet/cutie
TO-236AB
2N7002NXAKR
MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
106.040
În stoc
1 : 0,45000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,10828 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
190mA (Ta), 300mA (Tc)
5V, 10V
4,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.43 nC @ 4.5 V
±20V
20 pF @ 10 V
265mW (Ta), 1,33W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23
2N7002-TP
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Micro Commercial Co
83.756
În stoc
1 : 0,45000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,10764 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
200mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
2N7002-7-F
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Diodes Incorporated
354.302
În stoc
1 : 0,49000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,12816 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
115mA (Ta)
5V, 10V
7,5Ohm la 50mA, 5V
2,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS138-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3
Diodes Incorporated
197.311
În stoc
20.031.000
Fabrică
1 : 0,54000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,14524 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm la 220mA, 10V
1,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
EMT3F
RE1C002UNTCL
MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F
Rohm Semiconductor
1.217.847
În stoc
1 : 0,58000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,13204 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
20 V
200mA (Ta)
1,2V, 2,5V
1,2Ohm la 100mA, 2,5V
1V la 1mA
-
±8V
25 pF @ 10 V
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
EMT3F (SOT-416FL)
SC-89, SOT-490
SOT-23-3
2N7002K-7
MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3
Diodes Incorporated
407.320
În stoc
55.926.000
Fabrică
1 : 0,58000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,14890 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
380mA (Ta)
5V, 10V
2Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 1mA
0.3 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 25 V
370mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002KT1G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
onsemi
119.617
În stoc
1 : 0,58000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,14890 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
320mA (Ta)
4,5V, 10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,3V la 250µA
0.7 nC @ 4.5 V
±20V
24.5 pF @ 20 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
BSS84AK,215
MOSFET P-CH 50V 180MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
617.846
În stoc
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,12759 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal P
MOSFET (oxid metalic)
50 V
180mA (Ta)
10V
7,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.35 nC @ 5 V
±20V
36 pF @ 25 V
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS84-7-F
MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3
Diodes Incorporated
413.141
În stoc
53.874.000
Fabrică
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,16403 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal P
MOSFET (oxid metalic)
50 V
130mA (Ta)
5V
10Ohm la 100mA, 5V
2V la 1mA
-
±20V
45 pF @ 25 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
DMN63D8L-7
MOSFET N-CH 30V 350MA SOT23
Diodes Incorporated
389.592
În stoc
1.068.000
Fabrică
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,16046 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
30 V
350mA (Ta)
2,5V, 10V
2,8Ohm la 250mA, 10V
1,5V la 250µA
0.9 nC @ 10 V
±20V
23.2 pF @ 25 V
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT 23-3
2N7002ET1G
MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3
onsemi
342.443
În stoc
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,15903 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
260mA (Ta)
4,5V, 10V
2,5Ohm la 240mA, 10V
2,5V la 250µA
0.81 nC @ 5 V
±20V
26.7 pF @ 25 V
300mW (Tj)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TO-236AB
2N7002P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
296.007
În stoc
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,16903 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,4V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
49.420
În stoc
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
10.000 : 0,13582 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
400mA (Ta)
4,5V, 10V
1,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
40 pF @ 10 V
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
CST3
SC-101, SOT-883
SC-101 SOT-883
NX7002BKMYL
MOSFET N-CH 60V 350MA DFN1006-3
Nexperia USA Inc.
24.656
În stoc
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
10.000 : 0,14250 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
350mA (Ta)
5V, 10V
2,8Ohm la 200mA, 10V
2,1V la 250µA
1 nC @ 10 V
±20V
23.6 pF @ 10 V
350mW (Ta), 3,1W (Tc)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-883
SC-101, SOT-883
TO-236AB
BSS138P,215
MOSFET N-CH 60V 360MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
815.557
În stoc
1 : 0,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17196 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
360mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 300mA, 10V
1,5V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
350mW (Ta), 1,14W (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
UMT3F
RU1J002YNTCL
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3F
Rohm Semiconductor
504.902
În stoc
1 : 0,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17350 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
50 V
200mA (Ta)
0,9V, 4,5V
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
800mV la 1mA
-
±8V
26 pF @ 10 V
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
UMT3F
SC-85
SOT 23-3
2N7002LT1G
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
onsemi
428.377
În stoc
1 : 0,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17677 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
115mA (Tc)
5V, 10V
7,5Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 25 V
225mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PG-SOT23
2N7002H6327XTSA2
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT23-3
Infineon Technologies
190.573
În stoc
1 : 0,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17112 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
3Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
0.6 nC @ 10 V
±20V
20 pF @ 25 V
500mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
PG-SOT23
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-23-3
BSS123-7-F
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Diodes Incorporated
103.560
În stoc
1 : 0,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,17535 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
100 V
170mA (Ta)
10V
6Ohm la 170mA, 10V
2V la 1mA
-
±20V
60 pF @ 25 V
300mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
13.899
În stoc
1 : 0,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
8.000 : 0,15880 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
30 V
100mA (Ta)
2,5V, 4V
3,6Ohm la 10mA, 4V
1,5V la 100µA
-
±20V
13.5 pF @ 3 V
150mW (Ta)
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
VESM
SOT-723
SOT-323
BSS138PW,115
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT323
Nexperia USA Inc.
854.390
În stoc
1 : 0,72000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,19015 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
320mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 300mA, 10V
1,5V la 250µA
0.8 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
260mW (Ta), 830mW (Tc)
-55°C – 150°C (TA)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
SOT-323
SC-70, SOT-323
SOT-23-3
2N7002K-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236
Vishay Siliconix
777.038
În stoc
1 : 0,72000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,15211 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
300mA (Ta)
4,5V, 10V
2Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
30 pF @ 25 V
350mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-3 (TO-236)
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
TL431BFDT-QR
2N7002BK,215
MOSFET N-CH 60V 350MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
767.396
În stoc
1 : 0,72000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,18287 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
350mA (Ta)
10V
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,1V la 250µA
0.6 nC @ 4.5 V
±20V
50 pF @ 10 V
370mW (Ta)
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
SOT-323
BSS138W-7-F
MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323
Diodes Incorporated
553.890
În stoc
1 : 0,72000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,19412 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
50 V
200mA (Ta)
10V
3,5Ohm la 220mA, 10V
1,5V la 250µA
-
±20V
50 pF @ 10 V
200mW (Ta)
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-323
SC-70, SOT-323
TO-236AB
2N7002,215
MOSFET N-CH 60V 300MA TO236AB
Nexperia USA Inc.
512.131
În stoc
1 : 0,72000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,19007 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
Canal-N
MOSFET (oxid metalic)
60 V
300mA (Tc)
10V
5Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
-
±30V
50 pF @ 10 V
830mW (Ta)
-65°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
TO-236AB
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Se afișează
din 41.972

FET-uri, MOSFET-uri individuale


Tranzistoarele discrete cu efect de câmp (FET) sunt utilizate pe scară largă în conversia de putere, controlul motoarelor, iluminatul în stare solidă și în alte aplicații în care este avantajoasă capacitatea lor caracteristică de a fi pornite și oprite la frecvențe înalte, transportând în același timp cantități substanțiale de curent. Acestea sunt utilizate aproape universal pentru aplicații care necesită tensiuni nominale de câteva sute de volți sau mai puțin, peste care alte tipuri de dispozitive, cum ar fi IGBT-urile, devin mai competitive.