FET-uri, MOSFET-uri individuale

Se afișează

din 44.941

Nr. catalog prod.	CANTITATE DISPONIBILĂ	Preț	Serie	Pachet	Stare produs	Tip FET	Tehnologie	Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	Rds pornit (Max) la Id, Vgs	Vgs(th) (Max) la Id	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	Tensiune cuplată la încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	Vgs (Max)	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	Tensiune cuplată la capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	Caracteristică FET	Disipare putere (Max)	Temperatură de funcționare	Grad	Calificare	Tip montare	Pachet dispozitiv furnizor	Pachet/cutie
T2N7002AK,LM MOSFET N-CH 60V 200MA SOT23 Toshiba Semiconductor and Storage	183.364 În stoc	1 : 0,57000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,09784 lei Bandă și mosor (TR)	U-MOSVII-H	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	60 V	200mA (Ta)	4,5V, 10V	3,9Ohm la 100mA, 10V	2,1V la 250µA	0.35 nC @ 4.5 V	0.35 nC @ 4.5 V	-	±20V	17 pF @ 10 V	17 pF @ 10 V	-	–	320mW (Ta)	150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTR4003NT3G MOSFET N-CH 30V 500MA SOT23-3 onsemi	102.339 În stoc	1 : 0,57000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 10.000 : 0,18234 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	30 V	500mA (Ta)	2,5V, 4V	1,5Ohm la 10mA, 4V	1,4V la 250µA	1.15 nC @ 5 V	1.15 nC @ 5 V	-	±20V	21 pF @ 5 V	21 pF @ 5 V	-	–	690mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
PJC138K_R1_00001 SOT-323, MOSFET Panjit International Inc.	2.014 În stoc	1 : 0,57000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,13786 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	50 V	360mA (Ta)	2,5V, 10V	1,6Ohm la 500mA, 10V	1,5V la 250µA	1 nC @ 4.5 V	1 nC @ 4.5 V	-	±20V	50 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	-	–	236mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002-7-F MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3 Diodes Incorporated	423.252 În stoc	1 : 0,61000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,11118 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	60 V	115mA (Ta)	5V, 10V	7,5Ohm la 50mA, 5V	2,5V la 250µA	-	-	-	±20V	50 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	-	–	370mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS123NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3 Infineon Technologies	145.695 În stoc	1 : 0,61000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,17789 lei Bandă și mosor (TR)	OptiMOS™	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	100 V	190mA (Ta)	4,5V, 10V	6Ohm la 190mA, 10V	1,8V la 13µA	0.9 nC @ 10 V	0.9 nC @ 10 V	-	±20V	20.9 pF @ 25 V	20.9 pF @ 25 V	-	–	500mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montare pe suprafață	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2305UX-7 MOSFET P-CH 20V 4.2A SOT23 Diodes Incorporated	90.025 În stoc	1 : 0,61000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,21517 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal P	MOSFET (oxid metalic)	20 V	4,2A (Ta)	1,8V, 4,5V	52mOhm la 4,2A, 4,5V	900mV la 250µA	10.2 nC @ 4.5 V	10.2 nC @ 4.5 V	-	±8V	808 pF @ 15 V	808 pF @ 15 V	-	–	1,4W (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT23-3 Diodes Incorporated	498.605 În stoc	1 : 0,65000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,12897 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm la 220mA, 10V	1,5V la 250µA	-	-	-	±20V	50 pF @ 10 V	50 pF @ 10 V	-	–	300mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
T2N7002BK,LM MOSFET N-CH 60V 400MA SOT23-3 Toshiba Semiconductor and Storage	477.089 În stoc	1 : 0,65000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,09784 lei Bandă și mosor (TR)	U-MOSVII-H	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	60 V	400mA (Ta)	4,5V, 10V	1,5Ohm la 100mA, 10V	2,1V la 250µA	0.6 nC @ 4.5 V	0.6 nC @ 4.5 V	-	±20V	40 pF @ 10 V	40 pF @ 10 V	-	–	320mW (Ta)	150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84LT1G MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 onsemi	129.867 În stoc	1 : 0,70000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,24721 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal P	MOSFET (oxid metalic)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm la 100mA, 5V	2V la 250µA	-	-	-	±20V	30 pF @ 5 V	30 pF @ 5 V	-	–	225mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002K-7 MOSFET N-CH 60V 380MA SOT23-3 Diodes Incorporated	214.409 În stoc	1 : 0,74000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,13342 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	60 V	380mA (Ta)	5V, 10V	2Ohm la 500mA, 10V	2,5V la 1mA	0.3 nC @ 4.5 V	0.3 nC @ 4.5 V	-	±20V	50 pF @ 25 V	50 pF @ 25 V	-	–	370mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002NXAKR MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Nexperia USA Inc.	88.144 În stoc	1 : 0,74000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,13985 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	60 V	190mA (Ta), 300mA (Tc)	5V, 10V	4,5Ohm la 100mA, 10V	2,1V la 250µA	0.43 nC @ 4.5 V	0.43 nC @ 4.5 V	-	±20V	20 pF @ 10 V	20 pF @ 10 V	-	–	265mW (Ta), 1,33W (Tc)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	TO-236AB	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMP2045U-7 MOSFET P-CH 20V 4.3A SOT23 Diodes Incorporated	56.495 În stoc	1 : 0,74000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,34804 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal P	MOSFET (oxid metalic)	20 V	4,3A (Ta)	1,8V, 4,5V	45mOhm la 4A, 4,5V	1V la 250µA	6.8 nC @ 4.5 V	6.8 nC @ 4.5 V	-	±8V	634 pF @ 10 V	634 pF @ 10 V	-	–	800mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS316NH6327XTSA1 MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Infineon Technologies	431.321 În stoc	1 : 0,78000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,17789 lei Bandă și mosor (TR)	OptiMOS™	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	30 V	1,4A (Ta)	4,5V, 10V	160mOhm la 1,4A, 10V	2V la 3,7µA	0.6 nC @ 5 V	0.6 nC @ 5 V	-	±20V	94 pF @ 15 V	94 pF @ 15 V	-	–	500mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montare pe suprafață	PG-SOT23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138-TP MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23 MCC (Micro Commercial Components)	92.090 În stoc	1 : 0,78000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,15120 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	50 V	220mA (Tj)	4,5V, 10V	3,5Ohm la 220mA, 10V	1,5V la 1mA	-	-	-	±20V	60 pF @ 25 V	60 pF @ 25 V	-	–	350mW	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS84-7-F MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Diodes Incorporated	73.746 În stoc 4.485.000 Fabrică	1 : 0,78000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,16481 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal P	MOSFET (oxid metalic)	50 V	130mA (Ta)	5V	10Ohm la 100mA, 5V	2V la 1mA	-	-	-	±20V	45 pF @ 25 V	45 pF @ 25 V	-	–	300mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
2N7002ET1G MOSFET N-CH 60V 260MA SOT23-3 onsemi	54.846 În stoc	1 : 0,78000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,13786 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	60 V	260mA (Ta)	4,5V, 10V	2,5Ohm la 240mA, 10V	2,5V la 250µA	0.81 nC @ 5 V	0.81 nC @ 5 V	-	±20V	26.7 pF @ 25 V	26.7 pF @ 25 V	-	–	300mW (Tj)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
BSS138W-7-F MOSFET N-CH 50V 200MA SOT323 Diodes Incorporated	155.987 În stoc	1 : 0,83000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,15120 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	50 V	200mA (Ta)	10V	3,5Ohm la 220mA, 10V	1,5V la 250µA	-	-	-	±20V	50 pF @ 10 V	50 pF @ 10 V	-	–	200mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-323	SC-70, SOT-323
2N7002KT1G MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3 onsemi	139.667 În stoc	1 : 0,83000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,15120 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	60 V	320mA (Ta)	4,5V, 10V	1,6Ohm la 500mA, 10V	2,3V la 250µA	0.7 nC @ 4.5 V	0.7 nC @ 4.5 V	-	±20V	24.5 pF @ 20 V	24.5 pF @ 20 V	-	–	300mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3 (TO-236)	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UKQ-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 T&R 3 Diodes Incorporated	40.094 În stoc	1 : 0,83000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,73919 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	20 V	2,8A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mOhm la 3,6A, 4,5V	1V la 250µA	2.8 nC @ 10 V	2.8 nC @ 10 V	-	±12V	130 pF @ 10 V	130 pF @ 10 V	-	–	660mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RE1C002UNTCL MOSFET N-CH 20V 200MA EMT3F Rohm Semiconductor	285.609 În stoc	1 : 0,87000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,12007 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	20 V	200mA (Ta)	1,2V, 2,5V	1,2Ohm la 100mA, 2,5V	1V la 1mA	-	-	-	±8V	25 pF @ 10 V	25 pF @ 10 V	-	–	150mW (Ta)	150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	EMT3F (SOT-416FL)	SC-89, SOT-490
DMN6140L-7 MOSFET N-CH 60V 1.6A SOT-23 Diodes Incorporated	16.721 În stoc	1 : 0,87000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,27573 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	60 V	1,6A (Ta)	4,5V, 10V	140mOhm la 1,8A, 10V	3V la 250µA	8.6 nC @ 10 V	8.6 nC @ 10 V	-	±20V	315 pF @ 40 V	315 pF @ 40 V	-	–	700mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG2302UK-7 MOSFET N-CH 20V 2.8A SOT23 Diodes Incorporated	3.623 În stoc	1 : 0,87000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,20902 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	20 V	2,8A (Ta)	2,5V, 4,5V	90mOhm la 3,6A, 4,5V	1V la 250µA	2.8 nC @ 10 V	2.8 nC @ 10 V	-	±12V	130 pF @ 10 V	130 pF @ 10 V	-	–	660mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	Automobile	AEC-Q101	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
NTA7002NT1G MOSFET N-CH 30V 154MA SC75 onsemi	136.513 În stoc	1 : 0,92000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,18678 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	30 V	154mA (Tj)	2,5V, 4,5V	7Ohm la 154mA, 4,5V	1,5V la 100µA	-	-	-	±10V	20 pF @ 5 V	20 pF @ 5 V	-	–	300mW (Tj)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SC-75, SOT-416	SC-75, SOT-416
ZXM61N03FTA MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3 Diodes Incorporated	68.094 În stoc	1 : 0,92000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,66708 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	MOSFET (oxid metalic)	30 V	1,4A (Ta)	4,5V, 10V	220mOhm la 910mA, 10V	1V la 250µA	4.1 nC @ 10 V	4.1 nC @ 10 V	-	±20V	150 pF @ 25 V	150 pF @ 25 V	-	–	625mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-23-3	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
DMG1013T-7 MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523 Diodes Incorporated	40.168 În stoc	1 : 0,92000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,13734 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal P	MOSFET (oxid metalic)	20 V	460mA (Ta)	1,8V, 4,5V	700mOhm la 350mA, 4,5V	1V la 250µA	0.622 nC @ 4.5 V	0.622 nC @ 4.5 V	-	±6V	59.76 pF @ 16 V	59.76 pF @ 16 V	-	–	270mW (Ta)	-55°C – 150°C (TJ)	–	–	Montare pe suprafață	SOT-523	SOT-523

Se afișează

din 44.941

Tranzistoarele individuale cu efect de câmp (FET) și tranzistoarele cu efect de câmp de tip metal-oxid-semiconductor (MOSFET) sunt tipuri de tranzistoare utilizate pentru amplificarea sau comutarea semnalelor electronice.

Un FET individual funcționează prin controlul fluxului de curent electric între terminalele sursă și drenă prin intermediul unui câmp electric generat de o tensiune aplicată la terminalul porții. Principalul avantaj al FET-urilor este impedanța lor de intrare ridicată, ce le face ideale pentru utilizare în amplificarea semnalelor și în circuitele analogice. Se utilizează pe scară largă în aplicații precum amplificatoarele, oscilatoarele și etajele tampon din circuitele electronice.

MOSFET-urile, un subtip de FET-uri, au un terminal de poartă care este izolat de canal printr-un strat subțire de oxid, ceea ce le sporește performanța și le face foarte eficiente. MOSFET-urile pot fi în continuare clasificate în două tipuri:

MOSFET-uri cu canal N: unde electronii sunt purtătorii principali.
MOSFET-uri cu canal P: unde golurile sunt purtătorii principali.

MOSFET-urile sunt preferate în multe aplicații datorită consumului redus de energie, vitezei mari de comutare și capacității lor de a gestiona curenți și tensiuni mari. Sunt esențiale în circuitele digitale și analogice, inclusiv în sursele de alimentare, driverele de motoare și aplicațiile de radiofrecvență.

Funcționarea MOSFET-urilor poate fi împărțită în două moduri:

Mod de îmbunătățire: în acest mod, MOSFET-ul este în mod normal oprit atunci când tensiunea poartă-sursă este zero. Pentru a se activa, acesta necesită o tensiune poartă-sursă pozitivă (pentru canalul N) sau o tensiune poartă-sursă negativă (pentru canalul P).
Mod de epuizare: în acest mod, MOSFET-ul este în mod normal pornit atunci când tensiunea poartă-sursă este zero. Aplicarea unei tensiuni poartă-sursă de polaritate opusă îl poate dezactiva.

MOSFET-urile au mai multe avantaje, cum ar fi:

Eficiență ridicată: consumă foarte puțină energie și pot comuta rapid între stări, fiind foarte eficiente pentru aplicațiile de gestionare a energiei.
Rezistență scăzută la pornire: au o rezistență scăzută atunci când sunt pornite, ceea ce minimizează pierderea de energie și generarea de căldură.
Impedanță de intrare ridicată: structura izolată a porții are ca rezultat o impedanță de intrare extrem de ridicată, ceea ce le face ideale pentru amplificarea semnalului cu impedanță ridicată.

Pe scurt, FET-urile simple, în special MOSFET-urile, sunt componente fundamentale în electronica modernă, cunoscute pentru eficiența, viteza și versatilitatea lor într-o gamă largă de aplicații, de la amplificarea semnalelor de mică putere la comutarea și controlul de mare putere.

FET-uri, MOSFET-uri individuale

FET-uri, MOSFET-uri individuale

Informaţii

Ajutor

Contactați-ne

Urmăriți-ne