Rețele FET, MOSFET

Rezultate : 5.749
Producător
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedAnalog Power Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild SemiconductorGE Aerospace
Serie
-*448AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™CC, CoolSiC™CAB425M12XM3CoolMOS™DeepGATE™, STripFET™ H6DeepGATE™, STripFET™ VI
Ambalaj
Bandă tăiată la lungime (CT)Bandă și mosor (TR)BandăCutieDigi-Reel®TavăTubVrac
Stare produs
ActivDigi-Key nu mai oferă acest produsInactualNu pentru designuri noiUltima ocazie de cumpărare
Tehnologie
–GaNFET (nitrură de galiu)MOSFET (oxid metalic)SiCFET (silicon carbid)Silicon carbid (SiC)
Configurație
2 canal N, drenă comună2 canale N (dublu), canal P2 canale N și 2 P (punte completă)2 canale N, sursă comună (semi-punte)2 canale P2 canale P (semi-punte)2 x canal N, drenă comună, sursă comunăCanal 2 NCanal 2 N (amplificator cu 2 etape)Canal 2 N (dublu)Canal 2 N (dublu), SchottkyCanal 2 N (întrerupător de coborâre dublu)
Caracteristică FET
–Mod epuizarePoartă logicăPoartă logică, Drive 0,9VPoartă logică, Drive 1,2VPoartă logică, Drive 1,5VPoartă logică, Drive 1,8VPoartă logică, Drive 2,5VPoartă logică, Drive 4,5VPoartă logică, Drive 4VPoartă logică, Drive 5VPoartă nivel logic, unitate 10VSilicon carbid (SiC)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA100mA (Ta)100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
0,46mOhm la 160A, 12V0,762mOhm la 160A, 12V0,765mOhm la 160A, 12V, 0,580mOhm la 160A, 12V0,765mOhm la 160A, 12V, 0,710mOhm la 160A, 12V0,8mOhm la 1200A, 10V0,88mOhm la 160A, 14V, 0,71mOhm la 160A, 14V0,88mOhm la 50A, 10V0,95mOhm la 30A, 10V0,95mOhm la 8A, 4,5V0,99mOhm la 80A, 10V, 1,35mOhm la 80A, 10V1,039mOhm la 160A, 12V, 762µOhm la 160A, 12V1,15mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
10mV la 10µA10mV la 1µA10mV la 20µA20mV la 10µA20mV la 1µA20mV la 20µA180mV la 1µA200mV la 2,8A, 200mV la 1,9A220mV la 1µA360mV la 1µA380mV la 1µA400mV la 250µA (min.)
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
0,4pC la 4,5V, 7,3nC la 4,5V0,45pC la 4,5V50pC la 4,5V0,16nC la 5V, 0,044nC la 5V0,22nC la 5V, 0,044nC la 5V0,26nC la 2,5V0,28nC la 4,5V0,28nC la 4,5V, 0,3nC la 4,5V0,3nC la 4,5V0,3nC la 4,5V, 0,28nC la 4,5V0,304nC la 4,5V0,31nC la 4,5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2,5pF la 5V3pF la 5V5pF la 3V6pF la 3V6,2pF la 10V6,6pF la 10V7pF la 10V7pF la 3V7,1pF la 10V7,4pF la 10V7,5pF la 10V8,5pF la 3V
Putere - Max
490µW500µW (Ta)10mW20mW120mW125mW125mW (Ta)140mW150mW150mW (Ta)180mW200mW
Temperatură de funcționare
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C
Grad
–AutomobileDe grad militar
Calificare
–AEC-Q100AEC-Q101MIL-PRF-19500/597MIL-PRF-19500/599
Tip montare
–Cu montare pe carcasăMontare pe suprafațăMontare pe suprafață, Flanc umectabilOrificiu străpuns
Pachet/cutie
4-SMD, Fără derivație4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP
Pachet dispozitiv furnizor
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-BGA (1x1)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-CSP (1,74x1,74)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
PRODUS MARKETPLACE
5.749Rezultate
Se afișează
din 5.749
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tehnologie
Configurație
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Putere - Max
Temperatură de funcționare
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet/cutie
Pachet dispozitiv furnizor
345.066
În stoc
1 : 0,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,16118 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
60V
300mA
1,5Ohm la 100mA, 10V
2,1V la 250µA
0,6nC la 4,5V
40pF la 10V
285mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
SOT 363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
117.088
În stoc
1 : 0,94000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,25293 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
60V
230mA
7,5Ohm la 50mA, 5V
2V la 250µA
–
50pF la 25V
310mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
70.669
În stoc
1 : 0,99000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,25246 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică, Drive 1,5V
20V
800mA (Ta)
235mOhm la 800mA, 4,5V, 390mOhm la 800mA, 4,5V
1V la 1mA
1nC la 10V
55pF la 10V, 100pF la 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
2.098
În stoc
1 : 0,99000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,24861 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
320mA
1,6Ohm la 500mA, 10V
2,4V la 250µA
0,8nC la 4,5V
50pF la 10V
420mW
150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q100
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
190.573
În stoc
1 : 1,03000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,26911 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 1,5V
20V
250mA (Ta)
2,2Ohm la 100mA, 4,5V
1V la 1mA
–
12pF la 10V
300mW
150°C
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
6DFN
PMDXB600UNEZ
MOSFET 2N-CH 20V 0.6A 6DFN
Nexperia USA Inc.
37.345
În stoc
1 : 1,03000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 0,25264 lei
Bandă și mosor (TR)
1 : 1,21000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
600mA
620mOhm la 600mA, 4,5V
950mV la 250µA
0,7nC la 4,5V
21,3pF la 10V
265mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 6-XFDFN
DFN1010B-6
PG-SOT363-PO
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
4.761
În stoc
1 : 1,08000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,28999 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
300mA
3Ohm la 500mA, 10V
2,5V la 250µA
0,6nC la 10V
20pF la 25V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
140.641
În stoc
1 : 1,12000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,28337 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
30V
100mA
4Ohm la 10mA, 4V
1,5V la 100µA
–
8,5pF la 3V
150mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
ES6
SOT 363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
48.979
În stoc
1.602.000
Fabrică
1 : 1,21000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,31972 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
20V
1,07A, 845mA
450mOhm la 600mA, 4,5V
1V la 250µA
0,74nC la 4,5V
60,67pF la 10V
330mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SOT-363
UMT6
UM6K33NTN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
743.474
În stoc
1 : 1,30000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,27901 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 1,2V
50V
200mA
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
1V la 1mA
–
25pF la 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
UMT6
UM6K34NTCN
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A UMT6
Rohm Semiconductor
335.882
În stoc
1 : 1,30000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,35511 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
800mV la 1mA
–
26pF la 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
UMT6
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
164.295
În stoc
1 : 1,30000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
8.000 : 0,31341 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică, Drive 0,9V
50V
200mA
2,2Ohm la 200mA, 4,5V
800mV la 1mA
–
26pF la 10V
120mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
EMT6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
100.345
În stoc
3.012.000
Fabrică
1 : 1,30000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,34814 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică, Drive 4,5V
30V
3,4A, 2,8A
60mOhm la 3,1A, 10V
2,3V la 250µA
13nC la 10V
400pF la 15V
840mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-6 subțire, TSOT-23-6
TSOT-26
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
6.247
În stoc
2.514.000
Fabrică
1 : 1,30000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,35243 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
30V
3,8A, 2,5A
55mOhm la 3,4A, 10V
1,5V la 250µA
12,3nC la 10V
422pF la 15V
850mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-23-6 subțire, TSOT-23-6
TSOT-26
PG-SOT363-PO
BSD840NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Infineon Technologies
130.063
În stoc
1 : 1,43000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,38518 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
880mA
400mOhm la 880mA, 2,5V
750mV la 1,6µA
0,26nC la 2,5V
78pF la 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
68.880
În stoc
1 : 1,43000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,38963 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
860mA
350mOhm la 200mA, 4,5V
1,5V la 250µA
0,72nC la 4,5V
34pF la 20V
410mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
6-TSSOP
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
455.532
În stoc
1 : 1,48000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,38916 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
–
20V
540mA
550mOhm la 540mA, 4,5V
1V la 250µA
2,5nC la 4,5V
150pF la 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
SOT 363
2N7002DW
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SC88
onsemi
94.203
În stoc
1 : 1,48000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,40672 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
60V
115mA
7,5Ohm la 50mA, 5V
2V la 250µA
–
50pF la 25V
200mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88 (SC-70-6)
SOT-363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
28.803
În stoc
1 : 1,48000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,40575 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
630mA
375mOhm la 630mA, 4,5V
1,5V la 250µA
3nC la 4,5V
46pF la 20V
270mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
SC-88/SC70-6/SOT-363
12.395
În stoc
1 : 1,48000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,38445 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică, Drive 1,5V
20V
800mA (Ta), 720mA (Ta)
240mOhm la 500mA, 4,5V, 300mOhm la 400mA, 4,5V
1V la 1mA
2nC la 4,5V, 1,76nC la 4,5V
90pF la 10V, 110pF la 10V
150mW (Ta)
150°C
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
ES6
37.586
În stoc
1 : 1,52000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,41089 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
MOSFET (oxid metalic)
Canal N și P
Poartă logică
30V
400mA, 200mA
700mOhm la 200MA, 10V
1,8V la 100µA
–
20pF la 5V
300mW
150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
US6
PG-SOT363-PO
BSD235NH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 20V 0.95A SOT363
Infineon Technologies
35.474
În stoc
1 : 1,52000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,41624 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
950mA
350mOhm la 950mA, 4,5V
1,2V la 1,6µA
0,32nC la 4,5V
63pF la 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
PG-SOT363-PO
SOT666
PMDT290UNE,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.8A SOT666
Nexperia USA Inc.
76.474
În stoc
1 : 1,57000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,41592 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noi
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
800mA
380mOhm la 500mA, 4,5V
950mV la 250µA
0,68nC la 4,5V
83pF la 10V
500mW
-55°C – 150°C (TJ)
Automobile
AEC-Q101
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-666
SOT-563-6_463A
NTZD3152PT1G
MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
onsemi
55.332
În stoc
1 : 1,57000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,41124 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 P (dublu)
–
20V
430mA
900mOhm la 430mA, 4,5V
1V la 250µA
2,5nC la 4,5V
175pF la 16V
250mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SOT-563
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
15.332
În stoc
1 : 1,61000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,44192 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET (oxid metalic)
Canal 2 N (dublu)
Poartă logică
20V
610mA (Ta)
396mOhm la 500mA, 4,5V
1V la 250µA
2nC la 8V
43pF la 10V
220mW
-55°C – 150°C (TJ)
-
-
Montare pe suprafață
SOT-563, SOT-666
SC-89 (SOT-563F)
Se afișează
din 5.749

Rețele FET, MOSFET

Tranzistoarele cu efect de câmp (FET) sunt dispozitive electronice care utilizează un câmp electric pentru a controla fluxul de curent. Aplicarea unei tensiuni la terminalul de poartă alterează conductivitatea dintre terminalele de drenă și sursă. De asemenea, FET-urile sunt cunoscute și ca tranzistoare unipolare, deoarece implică o funcționare cu o singură frecvență purtătoare. Altfel spus, FET-urile utilizează electronii sau orificiile ca purtători de sarcină în funcționarea lor, dar nu ambele. În general, tranzistoarele cu efect de câmp prezintă o impedanță de intrare foarte mare la frecvențe joase.