Tranzistoare - JFET | Distribuitor de componente electronice DigiKey

Se afișează

din 860

Nr. catalog prod.	CANTITATE DISPONIBILĂ	Preț	Serie	Pachet	Stare produs	Tip FET	Tensiune - Străpungere (V(BR)GSS)	Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	Curent - Consum (Idss) la Vds (Vgs=0)	Consum curent (Id) - Max	Tensiune - Decuplare (VGS oprit) la Id	Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	Rezistență - RDS(activat)	Putere - Max	Temperatură de funcționare	Tip montare	Pachet/cutie	Pachet dispozitiv furnizor

2SK880-Y(TE85L,F) JFET N-CH 50V 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	4.248 În stoc	1 : 2,91000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 1,02573 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	50 V	-	1.2 mA @ 10 V	-	1.5 V @ 100 nA	13pF la 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montare pe suprafață	SC-70, SOT-323	USM
CPH3910-TL-E JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14.921 În stoc	1 : 3,34000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 1,28415 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	1.8 V @ 100 µA	6pF la 5V	-	400 mW	150°C (TJ)	Montare pe suprafață	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J109 JFET N-CH 25V 625MW TO92 onsemi	4.956 În stoc	1 : 2,59000 lei Vrac	-	Vrac	Activ	Canal-N	25 V	-	40 mA @ 15 V	-	2 V @ 10 nA	–	12 Ohms	625 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2N4393 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	2.728 În stoc	1 : 15,04000 lei Vrac	-	Vrac	Activ	Canal-N	40 V	-	5 mA @ 20 V	-	500 mV @ 1 nA	14pF la 20V	100 Ohms	1.8 W	-65°C – 175°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-206AA, Bidon metalic TO-18-3	TO-18
MMBF4391LT1G JFET N-CH 30V 0.225W SOT23-3 onsemi	5.885 În stoc	1 : 1,88000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,52974 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	30 V	30 V	50 mA @ 15 V	-	4 V @ 10 nA	14pF la 15V	30 Ohms	225 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3 (TO-236)
MMBF5103 JFET N-CH 40V 0.35W SOT-23 onsemi	119.800 În stoc	1 : 1,97000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,56386 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	40 V	-	10 mA @ 15 V	-	1.2 V @ 1 nA	16pF la 15V	-	350 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J111-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	20.863 În stoc	1 : 2,07000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 2.000 : 0,58520 lei Bandă și cutie (TB)	-	Bandă tăiată la lungime (CT) Bandă și cutie (TB)	Activ	Canal-N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	–	30 Ohms	625 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-226-3, Derivații formate TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J112-D26Z JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	12.848 În stoc	1 : 2,12000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 2.000 : 0,60651 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)	Activ	Canal-N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	–	50 Ohms	625 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-226-3, Derivații formate TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
2SK879-Y(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	7.120 În stoc	1 : 2,07000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,72922 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	-	-	1.2 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF la 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montare pe suprafață	SC-70, SOT-323	USM
2SK879-GR(TE85L,F) JFET N-CH 0.1W USM Toshiba Semiconductor and Storage	3.258 În stoc	1 : 2,07000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,72922 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	-	-	2.6 mA @ 10 V	-	400 mV @ 100 nA	8,2pF la 10V	-	100 mW	125°C (TJ)	Montare pe suprafață	SC-70, SOT-323	USM
J113-D74Z JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	15.274 În stoc	1 : 2,07000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 2.000 : 0,72923 lei Bandă și cutie (TB)	-	Bandă tăiată la lungime (CT) Bandă și cutie (TB)	Activ	Canal-N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	–	100 Ohms	625 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-226-3, Derivații formate TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
MMBFJ270 JFET P-CH 30V 0.225W SOT23 onsemi	0 În stoc	1 : 2,21000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 0,78692 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal P	30 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 nA	–	-	225 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	SOT-23-3
J175-D26Z JFET P-CH 30V 0.35W TO92-3 onsemi	9.411 În stoc	1 : 2,68000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 2.000 : 0,94639 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT)	Activ	Canal P	30 V	-	7 mA @ 15 V	-	3 V @ 10 nA	–	125 Ohms	350 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-226-3, Derivații formate TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
NSVJ3910SB3T1G IC JFET N-CH 25V 50MA 3CPH onsemi	14.685 În stoc	1 : 3,01000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 1,16945 lei Bandă și mosor (TR)	Automotive, AEC-Q101	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	25 V	25 V	20 mA @ 5 V	50 mA	600 mV @ 100 µA	6pF la 5V	-	400 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Montare pe suprafață	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	3-CPH
J111 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	30.990 În stoc	1 : 2,02000 lei Vrac	-	Vrac	Activ	Canal-N	35 V	-	20 mA @ 15 V	-	3 V @ 1 µA	–	30 Ohms	625 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J113 JFET N-CH 35V 625MW TO92-3 onsemi	6.639 În stoc	1 : 2,07000 lei Vrac	-	Vrac	Activ	Canal-N	35 V	-	2 mA @ 15 V	-	500 mV @ 1 µA	–	100 Ohms	625 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
J112 JFET N-CH 35V 625MW TO92 onsemi	8.808 În stoc	1 : 2,26000 lei Vrac	-	Vrac	Activ	Canal-N	35 V	-	5 mA @ 15 V	-	1 V @ 1 µA	–	50 Ohms	625 mW	-55°C – 150°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	TO-92-3
JFE150DCKR ULTRA-LOW NOISE, LOW GATE CURREN Texas Instruments	7.801 În stoc 9.000 Factory	1 : 13,68000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 3.000 : 7,64925 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	40 V	40 V	24 mA @ 10 V	50 mA	-	24pF la 5V	-	-	-40°C – 125°C (TA)	Montare pe suprafață	5-TSSOP, SC-70-5, SOT-353	SC-70-5
2N4392 PBFREE JFET N-CH 40V 1.8W TO-18 Central Semiconductor Corp	12.718 În stoc	1 : 14,76000 lei Vrac	-	Vrac	Activ	Canal-N	40 V	-	25 mA @ 20 V	-	2 V @ 1 nA	14pF la 20V	60 Ohms	1.8 W	-65°C – 175°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-206AA, Bidon metalic TO-18-3	TO-18
2N4858A JFET N-CH 40V 0.36W TO-18 Central Semiconductor Corp	2.186 În stoc	1 : 25,66000 lei Vrac	-	Vrac	Activ	Canal-N	40 V	-	8 mA @ 15 V	-	800 mV @ 0.5 nA	10pF la 10V (VGS)	60 Ohms	360 mW	-65°C – 200°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-206AA, Bidon metalic TO-18-3	TO-18
UF3N170400B7S JFET 1700V SIC UnitedSiC	4.255 În stoc	1 : 44,56000 lei Bandă tăiată la lungime (CT) 800 : 29,00888 lei Bandă și mosor (TR)	-	Bandă și mosor (TR) Bandă tăiată la lungime (CT) Digi-Reel®	Activ	Canal-N	1.7 V	1.7 V	2.2 µA @ 1.7 V	6.8 A	-	225pF la 100V	500 mOhms	68 W	-55°C – 175°C (TJ)	Montare pe suprafață	TO-263-8, D2Pak (7 derivații + clemă), TO-263CA	D2PAK-7
UJ3N065080K3S 650V 80 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	3.533 În stoc	1 : 41,08000 lei Tub	-	Tub	Activ	Canal-N	650 V	650 V	-	32 A	-	630pF la 100V	95 mOhms	190 W	-55°C – 175°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120070K3S 1200V 70 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	4.408 În stoc	1 : 74,92000 lei Tub	-	Tub	Activ	Canal-N	1200 V	1200 V	-	33.5 A	-	985pF la 100V	90 mOhms	254 W	-55°C – 175°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N065025K3S 650V 25 MOHM SIC JFET, G3, N-ON, UnitedSiC	859 În stoc	1 : 96,21000 lei Tub	-	Tub	Activ	Canal-N	650 V	650 V	-	85 A	-	2360pF la 100V	33 mOhms	441 W	-55°C – 175°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-247-3	TO-247-3
UJ3N120035K3S 1200V 35 MOHM SIC JFET, G3, N-ON UnitedSiC	1.592 În stoc	1 : 137,71000 lei Tub	-	Tub	Activ	Canal-N	1200 V	1200 V	-	63 A	-	2145pF la 100V	45 mOhms	429 W	-55°C – 175°C (TJ)	Orificiu străpuns	TO-247-3	TO-247-3

Se afișează

din 860

Tranzistoare - JFET

Junction gate field-effect transistors (JFET) are devices used as electronically-controlled switches, amplifiers, or voltage-controlled resistors. A potential difference of the proper polarity applied between the gate and source terminals increases resistance to current flow, which means less current would flow in the channel between the source and drain terminals. JFETs do not need a biasing current due to a charge flowing through a semiconducting channel between source and drain terminals.

Tranzistoare - JFET

Tranzistoare - JFET

Informaţii

Ajutor

Contactați-ne

Urmăriți-ne