Tranzistoare - FET, MOSFET - unice

Rezultate : 33.388
Producător
Alpha & Omega Semiconductor Inc.Central Semiconductor CorpComchip TechnologyDComponentsDiodes IncorporatedEPCGeneSiC SemiconductorGoford SemiconductorHoneywell AerospaceInfineon TechnologiesIXYSIXYS Integrated Circuits DivisionIXYS-RF
Golire
Serie
-*AlphaMOSAlphaSGT™aMOS5™aMOS™AutomotiveAutomotive, AEC-Q100, NexFET™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™ CFD7AAutomotive, AEC-Q101, CoolSiC™
Golire
Ambalaj
-Bandă tăiată la lungime (CT)Bandă și cutie (TB)Bandă și mosor (TR)BandăCutieDigi-Reel®PungăTavăTubVrac
Golire
Stare piesă
ActivDigi-Key nu mai oferă acest produsInactualNu pentru designuri noiPreliminarUltima ocazie de cumpărare
Golire
Tip FET
Canal PCanal-N–
Golire
Tehnologie
GaNFET (Cascode FET nitrură de galiu)GaNFET (nitrură de galiu)MOSFET (oxid metalic)SiC (tranzistor racord silicon carbid)SiCFET (Cascode SiCJFET)SiCFET (silicon carbid)–
Golire
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
5 V5.5 V6 V8 V9 V10 V12 V14 V15 V16 V16.5 V
Golire
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
150µA (Ta)5mA (Ta)10mA (Ta)13mA (Tj)14mA21mA (Ta)30mA (Ta)30mA (Tc)30mA (Tj)34mA (Ta)35mA (Ta)40mA (Ta)45mA (Ta)
Golire
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
-0,35V0V0V, 10V0,9V, 2,5V0,9V, 4,5V1,2V, 10V1,2V, 2,5V1,2V, 3V1,2V, 4,5V1,2V, 4V1,2V, 5V1,3V, 4,5V1,5V
Golire
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
0,4mOhm la 150A, 10V0,4mOhm la 30A, 10V0,4mOhm la 50A, 10V0,42mOhm la 50A, 10V0,45mOhm la 30A, 10V0,45mOhm la 50A, 10V0,45mOhm la 60A, 4,5V0,47mOhm la 20A, 10V0,48mOhm la 50A, 10V0,52mOhm la 30A, 10V0,53mOhm la 20A, 10V0,55mOhm la 25A, 10V0,55mOhm la 50A, 10V
Golire
Vgs(th) (Max) la Id
400mV la 1mA (min.)400mV la 250µA (min.)400mV la 250µA450mV la 100µA (min.)450mV la 1mA (min.)450mV la 250µA (min.)450mV la 250µA450mV la 2mA (min.)500mV la 250µA (min.)500mV la 250µA570mV la 1mA600mV la 1,2mA (min.)600mV la 1mA (min.)
Golire
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
0.044 nC @ 5 V0.064 nC @ 5 V0.12 nC @ 5 V0.15 nC @ 10 V0.18 nC @ 10 V0.2 nC @ 8 V0.22 nC @ 4.5 V0.233 nC @ 10 V0.281 nC @ 10 V0.3 nC @ 4.5 V0.31 nC @ 10 V
Golire
Vgs (Max)
-20V-12V-10V-8V-8V, 0V-6,5V-6V-5V+0,6V, -12V+2V, -15V+3V, -16V+5V, -16V±5V
Golire
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
0.0237 pF @ 25 V0.0242 pF @ 25 V0.131 pF @ 25 V3.288 pF @ 400 V3.5 pF @ 15 V4.411 pF @ 50 V4.5 pF @ 5 V4.559 pF @ 40 V5.2 pF @ 6 V5.5 pF @ 3 V6 pF @ 25 V
Golire
Caracteristică FET
Detectare curentDiode detectare temperaturăDiodă Schottky (corp)Diodă Schottky (izolată)Mod epuizareStandardSuper îmbinare–
Golire
Disipare putere (Max)
0,49mW1,9mW (Ta)100mW (Ta)100mW120mW (Ta)121mW (Ta)125mW (Ta)125mW (Ta), 3W (Tc)150mW (Ta)150mW (Tc)150mW155mW (Ta)160mW
Golire
Temperatură de funcționare
-65°C – 150°C (TJ)-65°C – 175°C (TJ)-60°C – 175°C (TJ)-55°C – 110°C (TA)-55°C – 125°C (TA)-55°C – 125°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 135°C (TJ)-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C (TA)
Golire
Tip montare
Cu montare pe carcasăMontare pe suprafațăMontare pe suprafață, Flanc umectabilOrificiu străpuns–
Golire
Pachet dispozitiv furnizor
2-HWSON (5x4)3-CP3-CPH3-DFN (1,0 x 0,60)3-DFN0806H43-DFN1411 (1,4x1,1)3-LGA (0,73x0,64)3-LGA (4,1x8)3-MCPH3-MPAK3-PICOSTAR3-PMCP3-PQFN (5x6)
Golire
Pachet/cutie
3-FLGA3-PowerDFN3-PowerSMD, Derivații plate3-PowerUDFN3-PowerVDFN3-SIP3-SMD, Derivație plată3-SMD, Derivații plate3-SMD, Fără derivație3-SMD, Non-standard3-UDFN3-UFDFN3-WDSON
Golire
Opțiuni stoc
Media
Opțiuni de mediu
PRODUS MARKETPLACE
Rezultate pe pagină
25
Page 1/1336
Comparare
Nr. catalog prod.
Preț
Stoc
Furnizor
Prod.
Cant. min.
Nr. catalog DK
Serie
Pachet
Stare piesă
Tip FET
Tehnologie
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Vgs (Max)
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare
Tip montare
Pachet dispozitiv furnizor
Pachet/cutie
eGaN Series
EPC2036
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
3,67000 lei
351.704 - Imediat
EPCEPC
1
917-1100-2-ND
917-1100-1-ND
917-1100-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V1,7A (Ta)5V65mOhm la 1A, 5V2,5V la 600µA0.91 nC @ 5 V+6V, -4V90 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC2040
GANFET NCH 15V 3.4A DIE
5,07000 lei
86.656 - Imediat
EPCEPC
1
917-1153-2-ND
917-1153-1-ND
917-1153-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)15 V3,4A (Ta)5V30mOhm la 1,5A, 5V2,5V la 1mA0.93 nC @ 5 V-105 pF @ 6 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC2038
GANFET N-CH 100V 500MA DIE
5,07000 lei
190.664 - Imediat
EPCEPC
1
917-1138-2-ND
917-1138-1-ND
917-1138-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V500mA (Ta)5V3,3Ohm la 50mA, 5V2,5V la 20µA0.044 nC @ 5 V+6V, -4V8.4 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC2037
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
5,86000 lei
596.857 - Imediat
EPCEPC
1
917-1137-2-ND
917-1137-1-ND
917-1137-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V1,7A (Ta)5V550mOhm la 100mA, 5V2,5V la 80µA0.12 nC @ 5 V+6V, -4V14 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC2039
GANFET N-CH 80V 6.8A DIE
7,12000 lei
48.307 - Imediat
EPCEPC
1
917-1147-2-ND
917-1147-1-ND
917-1147-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)80 V6,8A (Ta)5V25mOhm la 6A, 5V2,5V la 2mA2.4 nC @ 5 V+6V, -4V210 pF @ 40 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC2007C
GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
9,35000 lei
35.048 - Imediat
EPCEPC
1
917-1081-2-ND
917-1081-1-ND
917-1081-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V6A (Ta)5V30mOhm la 6A, 5V2,5V la 1,2mA2.2 nC @ 5 V+6V, -4V220 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăContur matriță (bară cu 5 aliaje de lipit)Matriță
eGaN Series
EPC2045
GANFET N-CH 100V 16A DIE
9,09000 lei
50.170 - Imediat
EPCEPC
1
917-1186-2-ND
917-1186-1-ND
917-1186-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V16A (Ta)5V7mOhm la 16A, 5V2,5V la 5mA6.5 nC @ 5 V+6V, -4V685 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC8010
GANFET N-CH 100V 4A DIE
8,91000 lei
13.769 - Imediat
EPCEPC
1
917-1086-2-ND
917-1086-1-ND
917-1086-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V4A (Ta)5V160mOhm la 500mA, 5V2,5V la 250µA0.48 nC @ 5 V+6V, -4V55 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
EPC2204
EPC2204
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
10,93000 lei
55.196 - Imediat
EPCEPC
1
917-1223-2-ND
917-1223-1-ND
917-1223-6-ND
*
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ----------------
EPC2055
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
11,62000 lei
20.146 - Imediat
EPCEPC
1
917-EPC2055TR-ND
917-EPC2055CT-ND
917-EPC2055DKR-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)40 V29A (Ta)5V3,6mOhm la 15A, 5V2,5V la 7mA8.5 nC @ 5 V+6V, -4V1111 pF @ 20 VStandard–-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC2012C
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
12,06000 lei
10.913 - Imediat
EPCEPC
1
917-1084-2-ND
917-1084-1-ND
917-1084-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)200 V5A (Ta)5V100mOhm la 3A, 5V2,5V la 1mA1.3 nC @ 5 V+6V, -4V140 pF @ 100 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăContur matriță (bară cu 4 aliaje de lipit)Matriță
EPC2212
EPC2212
GANFET N-CH 100V 18A DIE
13,07000 lei
210.503 - Imediat
EPCEPC
1
917-1211-2-ND
917-1211-1-ND
917-1211-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V18A (Ta)5V13,5mOhm la 11A, 5V2,5V la 3mA4 nC @ 5 V+6V, -4V407 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC8002
GANFET N-CH 65V 2A DIE
12,98000 lei
33.381 - Imediat
EPCEPC
1
917-1118-2-ND
917-1118-1-ND
917-1118-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)65 V2A (Ta)5V530mOhm la 500mA, 5V2,5V la 250µA-+6V, -4V21 pF @ 32.5 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
EPC22xx
EPC2207
TRANS GAN 200V DIE .022OHM
14,03000 lei
17.263 - Imediat
EPCEPC
1
917-EPC2207TR-ND
917-EPC2207CT-ND
917-EPC2207DKR-ND
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)200 V14A (Ta)5V22mOhm la 14A, 5V2,5V la 2mA5.9 nC @ 5 V+6V, -4V600 pF @ 100 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
EPC2053
EPC2053
GANFET N-CH 100V 48A DIE
14,51000 lei
19.395 - Imediat
EPCEPC
1
917-1204-2-ND
917-1204-1-ND
917-1204-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V48A (Ta)5V3,8mOhm la 25A, 5V2,5V la 9mA14.8 nC @ 5 V+6V, -4V1895 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
EPC2059
EPC2059
TRANS GAN 170V DIE .009OHM
15,03000 lei
27.544 - Imediat
EPCEPC
1
917-EPC2059TR-ND
917-EPC2059CT-ND
917-EPC2059DKR-ND
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ----------------
eGaN Series
EPC2019
GANFET N-CH 200V 8.5A DIE
16,04000 lei
30.716 - Imediat
EPCEPC
1
917-1087-2-ND
917-1087-1-ND
917-1087-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)200 V8,5A (Ta)5V50mOhm la 7A, 5V2,5V la 1,5mA2.5 nC @ 5 V+6V, -4V270 pF @ 100 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
EPC2218
EPC2218
GANFET N-CH 100V DIE
19,75000 lei
37.057 - Imediat
EPCEPC
1
917-EPC2218TR-ND
917-EPC2218CT-ND
917-EPC2218DKR-ND
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V––––-–--––Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC2001C
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
20,50000 lei
107.063 - Imediat
EPCEPC
1
917-1079-2-ND
917-1079-1-ND
917-1079-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)100 V36A (Ta)5V7mOhm la 25A, 5V2,5V la 5mA9 nC @ 5 V+6V, -4V900 pF @ 50 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăContur matriță (bară cu 11 aliaje de lipit)Matriță
eGaN Series
EPC2015C
GANFET N-CH 40V 53A DIE
21,15000 lei
17.003 - Imediat
EPCEPC
1
917-1083-2-ND
917-1083-1-ND
917-1083-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)40 V53A (Ta)5V4mOhm la 33A, 5V2,5V la 9mA8.7 nC @ 5 V+6V, -4V1180 pF @ 20 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
EPC22xx
EPC2215
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
26,74000 lei
1.707 - Imediat
EPCEPC
1
917-1218-2-ND
917-1218-1-ND
917-1218-6-ND
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)200 V32A (Ta)5V8mOhm la 20A, 5V2,5V la 6mA17.7 nC @ 5 V+6V, -4V1790 pF @ 100 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
eGaN Series
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
28,67000 lei
18.205 - Imediat
EPCEPC
1
917-1085-2-ND
917-1085-1-ND
917-1085-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)200 V22A (Ta)5V25mOhm la 12A, 5V2,5V la 3mA5.3 nC @ 5 V+6V, -4V540 pF @ 100 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăContur matriță (bară cu 7 aliaje de lipit)Matriță
EPC2206
EPC2206
GANFET N-CH 80V 90A DIE
28,01000 lei
104.955 - Imediat
EPCEPC
1
917-1212-2-ND
917-1212-1-ND
917-1212-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)80 V90A (Ta)5V2,2mOhm la 29A, 5V2,5V la 13mA19 nC @ 5 V+6V, -4V1940 pF @ 40 V––-40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
SCT2xxxNYTB
SCT2H12NYTB
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
25,35000 lei
307 - Imediat
Rohm SemiconductorRohm Semiconductor
1
SCT2H12NYTBTR-ND
SCT2H12NYTBCT-ND
SCT2H12NYTBDKR-ND
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NSiCFET (silicon carbid)1700 V4A (Tc)18V1,5Ohm la 1,1A, 18V4V la 410µA14 nC @ 18 V+22V, -6V184 pF @ 800 V–44W (Tc)175°C (TJ)Montare pe suprafațăTO-268TO-268-3, D³Pak (2 derivații + clemă), TO-268AA
eGaN Series
EPC2031
GANFET NCH 60V 31A DIE
28,84000 lei
22.227 - Imediat
EPCEPC
1
917-1151-2-ND
917-1151-1-ND
917-1151-6-ND
eGaN®
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivCanal-NGaNFET (nitrură de galiu)60 V31A (Ta)-2,6mOhm la 30A, 5V2,5V la 15mA17 nC @ 5 V-1800 pF @ 300 V–--40°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăMatrițăMatriță
Rezultate pe pagină
25
Page 1/1336