Rețele FET, MOSFET

Rezultate : 5.877
Producător
Advanced Linear Devices Inc.Alpha & Omega Semiconductor Inc.Analog Devices Inc.Analog Devices Inc./Maxim IntegratedBruckewellCentral Semiconductor CorpComchip TechnologyDiodes IncorporatedDiotec SemiconductorEMO Inc.EPCFairchild Semiconductor
Serie
-*AlphaDFN™AlphaMOSAlphaSGT™Automotive, AEC-Q100Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™Automotive, AEC-Q101Automotive, AEC-Q101, HEXFET®Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ 2Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-T2
Ambalaj
Bandă tăiată la lungime (CT)Bandă și mosor (TR)CutieDigi-Reel®TavăTubVrac
Stare produs
ActivDigi-Key nu mai oferă acest produsInactualNu pentru designuri noiUltima ocazie de cumpărare
Tehnologie
GaNFET (nitrură de galiu)MOSFET (oxid metalic)Silicon carbid (SiC)–
Configurație
2 canale N (dublu), canal P2 canale N și 2 canale P (pune parțială)2 canale P (semi-punte)2 canale PCanal 2 N (Semi-punte)Canal 2 N (amplificator cu 2 etape)Canal 2 N (dublu)Canal 2 N (dublu), SchottkyCanal 2 N (piesă polară fază)Canal 2 N (întrerupător de coborâre dublu)Canal 2 N asimetric (dublu)Canal 2 N și 2 P
Caracteristică FET
GaNFET (nitrură de galiu)Mod epuizarePoartă logicăPoartă logică, Drive 0,9VPoartă logică, Drive 1,2VPoartă logică, Drive 1,5VPoartă logică, Drive 1,8VPoartă logică, Drive 2,5VPoartă logică, Drive 4,5VPoartă logică, Drive 4VPoartă logică, Drive 5VPoartă nivel logic, unitate 10VSilicon carbid (SiC)Standard
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
5,5V8V10V10,6V12V12V, 20V14V15V16V20V20V, 12V20V, 8V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
12mA, 3mA40mA40mA, 16mA50mA (Ta)80mA100mA (Ta)100mA100mA, 200mA100mA, 5,5A115mA (Ta)115mA (Ta), 130mA (Ta)115mA (Tc)
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
0,46mOhm la 160A, 12V0,762mOhm la 160A, 12V0,8mOhm la 1200A, 10V0,95mOhm la 30A, 10V0,95mOhm la 8A, 4,5V1mOhm la 38A, 10V1,2mOhm la 10A, 10V1,2mOhm la 800A, 10V1,25mOhm la 35A, 10V1,3mOhm la 100A, 10V1,35mOhm la 10A, 4,5V1,37mOhm la 15A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id
10mV la 10µA10mV la 1µA10mV la 20µA20mV la 10µA20mV la 1µA20mV la 20µA180mV la 1µA200mV la 2,8A, 200mV la 1,9A220mV la 1µA360mV la 1µA380mV la 1µA400mV la 250µA (min.)
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
0,4pC la 4,5V, 7,3nC la 4,5V0,45pC la 4,5V0,16nC la 5V, 0,044nC la 5V0,22nC la 5V, 0,044nC la 5V0,26nC la 2,5V280pC la 4,5V0,28nC la 4,5V0,28nC la 4,5V, 0,3nC la 4,5V0,3nC la 4,5V0,3nC la 4,5V, 0,28nC la 4,5V0,304nC la 4,5V0,31nC la 4,5V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
2,5pF la 5V3pF la 5V5pF la 3V6pF la 3V6,2pF la 10V6,6pF la 10V7pF la 10V7pF la 3V7,1pF la 10V7,4pF la 10V7,5pF la 10V8,5pF la 3V
Putere - Max
120mW125mW (Ta)125mW140mW150mW (Ta)150mW180mW200mW (Ta)200mW220mW220mW, 280mW223mW (Ta)
Temperatură de funcționare
-65°C – 150°C (TJ)-55°C – 125°C-55°C – 150°C (TA)-55°C – 150°C (TJ)-55°C – 150°C (Tc)-55°C – 150°C-55°C – 155°C (TJ)-55°C – 175°C (TA)-55°C – 175°C (TJ)-55°C – 175°C-50°C – 150°C (TJ)-40°C – 125°C (TA)
Tip montare
Cu montare pe carcasăMontare pe suprafațăMontare pe suprafață, Flanc umectabilOrificiu străpuns–
Pachet/cutie
4-SMD, Fără derivație4-UFBGA, WLBGA4-UFBGA, WLCSP4-UFLGA4-VDFN4-XBGA, 4-FCBGA4-XDFN4-XFBGA4-XFBGA, DSBGA4-XFBGA, FCBGA4-XFBGA, WLBGA4-XFBGA, WLCSP
Pachet dispozitiv furnizor
4-AlphaDFN (0,97x0,97)4-AlphaDFN (1,9x1,3)4-AlphaDFN (1.2x1.2)4-BGA (1x1)4-CSP (0,8x0,8)4-CSP (1,11x1,11)4-CSP (1,1x1,1)4-CSP (1,29x1,29)4-Chip LGA (1,59x1,59)4-DFN (1,5x1,5)4-DFN (1,7x1,7)4-EFCP (1,01x1,01)
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
PRODUS MARKETPLACE
5.877Rezultate
Se afișează
din 5.877
Comparare
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tehnologie
Configurație
Caracteristică FET
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C
Rds pornit (Max) la Id, Vgs
Vgs(th) (Max) la Id
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds
Putere - Max
Temperatură de funcționare
Tip montare
Pachet/cutie
Pachet dispozitiv furnizor
SOT 363
NTJD5121NT1G
MOSFET 2N-CH 60V 0.295A SC88
onsemi
61.203
În stoc
1 : 1,68000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,28100 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică60V295mA1,6Ohm la 500mA, 10V2,5V la 250µA0,9nC la 4,5V26pF la 20V250mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
SOT-363
2N7002DW-7-F
MOSFET 2N-CH 60V 0.23A SOT363
Diodes Incorporated
81.108
În stoc
1 : 1,59000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,28812 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)–60V230mA7,5Ohm la 50mA, 5V2V la 250µA–50pF la 25V310mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
US6
SSM6N7002KFU,LF
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A US6
Toshiba Semiconductor and Storage
631.946
În stoc
1 : 1,12000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,32563 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)–60V300mA1,5Ohm la 100mA, 10V2,1V la 250µA0,6nC la 4,5V40pF la 10V285mW150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-363US6
MMDT2907A-TP
2N7002DW-TP
MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT363
Micro Commercial Co
1.232.443
În stoc
1 : 1,78000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,33088 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)–60V115mA7,5Ohm la 50mA, 5V2V la 250µA–50pF la 25V200mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
SOT 563
DMC2400UV-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Diodes Incorporated
211.770
În stoc
1.173.000
Fabrică
1 : 1,87000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,33659 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal N și PPoartă logică20V1,03A, 700mA480mOhm la 200mA, 5V900mV la 250µA0,5nC la 4,5V37,1pF la 10V450mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT363
BSS138PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
392.099
În stoc
1 : 1,97000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,35131 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică60V320mA1,6Ohm la 300mA, 10V1,5V la 250µA0,8nC la 4,5V50pF la 10V420mW150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
2N7002BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
408.564
În stoc
1 : 1,97000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,35716 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică60V300mA (Ta)1,6Ohm la 500mA, 10V2,1V la 250µA0,6nC la 4,5V50pF la 10V295mW150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
EMT6_EMT6 PKg
EM6K34T2CR
MOSFET 2N-CH 50V 0.2A EMT6
Rohm Semiconductor
170.212
În stoc
1 : 1,78000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
8.000 : 0,36964 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică, Drive 0,9V50V200mA2,2Ohm la 200mA, 4,5V800mV la 1mA–26pF la 10V120mW150°C (TJ)Montare pe suprafațăSOT-563, SOT-666EMT6
SOT363
2N7002PS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
41.941
În stoc
1 : 2,01000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,37437 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noiMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică60V320mA1,6Ohm la 500mA, 10V2,4V la 250µA0,8nC la 4,5V50pF la 10V420mW150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
BSS84AKS,115
MOSFET 2P-CH 50V 0.16A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
19.599
În stoc
1 : 2,01000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,37437 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 P (dublu)Poartă logică50V160mA7,5Ohm la 100mA, 10V2,1V la 250µA0,35nC la 5V36pF la 25V445mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT-563
SSM6L36FE,LM
MOSFET N/P-CH 20V 0.5A ES6
Toshiba Semiconductor and Storage
8.278
În stoc
1 : 2,01000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,36586 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal N și PPoartă logică20V500mA, 330mA630mOhm la 200mA, 5V1V la 1mA1,23nC la 4V46pF la 10V150mW150°C (TJ)Montare pe suprafațăSOT-563, SOT-666ES6
TSOT-26
DMG6602SVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
Diodes Incorporated
188.701
În stoc
1 : 1,78000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,39427 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noiMOSFET (oxid metalic)Canal N și PPoartă logică, Drive 4,5V30V3,4A, 2,8A60mOhm la 3,1A, 10V2,3V la 250µA13nC la 10V400pF la 15V840mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăSOT-23-6 subțire, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-363
DMG1016UDW-7
MOSFET N/P-CH 20V SOT363
Diodes Incorporated
137.841
În stoc
1 : 2,15000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,38415 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal N și PPoartă logică20V1,07A, 845mA450mOhm la 600mA, 4,5V1V la 250µA0,74nC la 4,5V60,67pF la 10V330mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-363SOT-363
448; PPG-SOT363-PO; ; 6
2N7002DWH6327XTSA1
MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Infineon Technologies
5.769
În stoc
1 : 2,15000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,39705 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică60V300mA3Ohm la 500mA, 10V2,5V la 250µA0,6nC la 10V20pF la 25V500mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-VSSOP, SC-88, SOT-363PG-SOT363-PO
SOT363
BSS138BKS,115
MOSFET 2N-CH 60V 0.32A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
464.120
În stoc
1 : 2,15000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,38872 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică60V320mA1,6Ohm la 320mA, 10V1,6V la 250µA0,7nC la 4,5V56pF la 10V445mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMG6601LVT-7
MOSFET N/P-CH 30V 3.8A TSOT26
Diodes Incorporated
55.430
În stoc
1 : 1,83000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,40020 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal N și PPoartă logică30V3,8A, 2,5A55mOhm la 3,4A, 10V1,5V la 250µA12,3nC la 10V422pF la 15V850mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăSOT-23-6 subțire, TSOT-23-6TSOT-26
SOT363
NX3008NBKS,115
MOSFET 2N-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
927.047
În stoc
1 : 2,25000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,41596 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică30V350mA1,4Ohm la 350mA, 4,5V1,1V la 250µA0,68nC la 4,5V50pF la 15V445mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
NX3008CBKS,115
MOSFET N/P-CH 30V 0.35A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
31.941
În stoc
1 : 2,25000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,41596 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal N și PPoartă logică30V350mA, 200mA1,4Ohm la 350mA, 4,5V1,1V la 250µA0,68nC la 4,5V50pF la 15V445mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
SOT363
PMGD290XN,115
MOSFET 2N-CH 20V 0.86A 6TSSOP
Nexperia USA Inc.
116.632
În stoc
1 : 1,97000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,43817 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noiMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică20V860mA350mOhm la 200mA, 4,5V1,5V la 250µA0,72nC la 4,5V34pF la 20V410mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-3636-TSSOP
TSOT-26
DMC2038LVT-7
MOSFET N/P-CH 20V TSOT26
Diodes Incorporated
83.986
În stoc
1 : 1,97000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,43574 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Nu pentru designuri noiMOSFET (oxid metalic)Canal N și PPoartă logică20V3,7A, 2,6A35mOhm la 4A, 4,5V1V la 250µA17nC la 10V530pF la 10V800mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăSOT-23-6 subțire, TSOT-23-6TSOT-26
SOT-563-6_463A
NTZD3154NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
onsemi
288.071
În stoc
1 : 2,06000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
4.000 : 0,45774 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)–20V540mA550mOhm la 540mA, 4,5V1V la 250µA2,5nC la 4,5V150pF la 16V250mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăSOT-563, SOT-666SOT-563
SOT 363
NTJD4401NT1G
MOSFET 2N-CH 20V 0.63A SC88
onsemi
57.776
În stoc
1 : 2,06000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,45774 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică20V630mA375mOhm la 630mA, 4,5V1,5V la 250µA3nC la 4,5V46pF la 20V270mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
Pkg 5880
SI1034CX-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 0.61A SC89
Vishay Siliconix
161.780
În stoc
1 : 1,64000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,46795 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)Poartă logică20V610mA (Ta)396mOhm la 500mA, 4,5V1V la 250µA2nC la 8V43pF la 10V220mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafațăSOT-563, SOT-666SC-89 (SOT-563F)
AS2376QS-13
DMP3085LSD-13
MOSFET 2P-CH 30V 3.9A 8SO
Diodes Incorporated
278.370
În stoc
1 : 1,73000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
2.500 : 0,46604 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 P (dublu)Poartă logică30V3,9A70mOhm la 5,3A, 10V3V la 250µA11nC la 10V563pF la 25V1,1W-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață8-SOIC (0,154", 3,90mm lățime)8-SO
SOT 363
NTJD4001NT1G
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SC88
onsemi
28.436
În stoc
1 : 1,68000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 0,47575 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
ActivMOSFET (oxid metalic)Canal 2 N (dublu)–30V250mA1,5Ohm la 10mA, 4V1,5V la 100µA1,3nC la 5V33pF la 5V272mW-55°C – 150°C (TJ)Montare pe suprafață6-TSSOP, SC-88, SOT-363SC-88/SC70-6/SOT-363
Se afișează
din 5.877

Rețele FET, MOSFET

Tranzistoarele cu efect de câmp (FET) sunt dispozitive electronice care utilizează un câmp electric pentru a controla fluxul de curent. Aplicarea unei tensiuni la terminalul de poartă alterează conductivitatea dintre terminalele de drenă și sursă. De asemenea, FET-urile sunt cunoscute și ca tranzistoare unipolare, deoarece implică o funcționare cu o singură frecvență purtătoare. Altfel spus, FET-urile utilizează electronii sau orificiile ca purtători de sarcină în funcționarea lor, dar nu ambele. În general, tranzistoarele cu efect de câmp prezintă o impedanță de intrare foarte mare la frecvențe joase.