Module de acționare pentru alimentare

Rezultate : 1.108
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
Excludere
1.108Rezultate

Se afișează
din 1.108
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tip
Configurație
Curent
Tensiune
Tensiune - Izolație
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet/cutie
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
onsemi
989
În stoc
1 : 66,32000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
2.863
În stoc
1 : 78,15000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
STK541UC62K-E
IGBT IPM 600V 10A 23-PWRSIP MOD
onsemi
296
În stoc
1 : 100,74000 lei
Tub
-
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 23-PowerSIP, 19 conductori, Conductori prelucrați
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
476
În stoc
1 : 111,63000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
2.000 : 55,89614 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Invertor semi-punte
55 A
650 V
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 52-VQFN
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
250
În stoc
1 : 153,38000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
250 : 105,81740 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Invertor semi-punte
55 A
650 V
Automobile
AEC-Q100
Montare pe suprafață, Flanc umectabil
Plăcuță expusă 52-VQFN
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
240
În stoc
1 : 429,70000 lei
Tub
Tub
Activ
MOSFET
Invertor trifazic
35 A
1.2 kV
2500Vrms
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
2.696
În stoc
1 : 21,73000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 7,98837 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Monofazic
70 A
30 V
-
-
Montare pe suprafață
39-PowerVFQFN
30-QFN
MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3.656
În stoc
1 : 25,39000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 14,05521 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Semi-punte
12 A
650 V
Montare pe suprafață
30-PowerVQFN
FSB50550AS
IPM SPM5 V4 RC 600V 4A
onsemi
837
În stoc
1 : 34,34000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
450 : 20,99171 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
IGBT
Invertor trifazic
4 A
600 V
1500Vrms
-
-
Montare pe suprafață
-
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2.856
În stoc
1 : 37,18000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 21,28392 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Semi-punte
20 A
650 V
Montare pe suprafață
30-PowerVQFN
154
În stoc
1 : 37,40000 lei
Tub
-
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Invertor trifazic
5 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 23-PowerDIP (0,748", 19,00mm)
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
118
În stoc
1 : 40,67000 lei
Tavă
Tavă
Activ
IGBT
Invertor trifazic
30 A
650 V
2000Vrms
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
234
În stoc
1 : 44,58000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
603
În stoc
1 : 45,10000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
397
În stoc
1 : 50,14000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
154
În stoc
1 : 53,11000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
337
În stoc
1 : 55,52000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
26 PowerDIP
IGBT IPM 600V 20A 26-PWRDIP MOD
STMicroelectronics
164
În stoc
1 : 58,96000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
20 A
600 V
1500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
263
În stoc
1 : 66,32000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
125
În stoc
1 : 74,49000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
210
În stoc
1 : 78,19000 lei
Tub
Tub
Ultima ocazie de cumpărare
IGBT
Bifazic
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FND43060T2
IGBT IPM 600V 30A 26-PWRDIP MOD
onsemi
117
În stoc
1 : 80,35000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
587
În stoc
1 : 83,62000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
-
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 600V 20A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
153
În stoc
1 : 88,14000 lei
Tub
Tub
Activ
MOSFET
Invertor trifazic
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
SPM27CC
IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
onsemi
226
În stoc
1 : 97,35000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
Se afișează
din 1.108

Module de acționare pentru alimentare


Modulele de drivere de putere oferă un spațiu fizic pentru componentele de putere, de obicei IGBT-uri și MOSFET-uri în configurație cu o jumătate de punte sau monofazată, bifazată sau trifazată. Semiconductorii de putere sau matrițele sunt lipite sau sinterizate pe un substrat care ține semiconductorii de putere și asigură contactul electric și termic și izolația electrică acolo unde este necesar. Modulele de putere oferă o densitate de putere mai mare și, în multe cazuri, sunt mai fiabile și mai ușor de răcit.