Module de acționare pentru alimentare

Rezultate : 1.098
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
Excludere
1.098Rezultate
Se afișează
din 1.098
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tip
Configurație
Curent
Tensiune
Tensiune - Izolație
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet/cutie
CIPOS Series
IKCM30F60GAXKMA1
IFPS MODULE 600V 30A 24PWRDIP
Infineon Technologies
2.241
În stoc
1 : 65,36000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FPDB40PH60B
FPDB40PH60B
MODULE SPM 600V 40A SPMGC
onsemi
133
În stoc
1 : 95,76000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Bifazic
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
SPM27CC
FSBB20CH60C
MODULE SPM 600V 20A 27PWRDIP
onsemi
307
În stoc
1 : 107,45000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
SPM27CC
FSBB30CH60C
MODULE SPM 600KV 30A 27PWRDIP
onsemi
161
În stoc
1 : 121,93000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
30 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
52 VQFN
LMG3522R030RQSR
650-V 30-M GAN FET WITH INTEGRAT
Texas Instruments
1.537
În stoc
1 : 123,22000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
2.000 : 58,18750 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Invertor semi-punte
55 A
650 V
–
–
–
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 52-VQFN
27-DIP Module
FNB34060T
PWR DRVR MOD 600V 40A 27PWRDIP
onsemi
110
În stoc
240
Fabrică
1 : 134,38000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
LMG3526R030RQST
LMG3522R030QRQSTQ1
AUTOMOTIVE 650-V 30-M GAN FET WI
Texas Instruments
240
În stoc
1 : 169,29000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
250 : 116,79624 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Invertor semi-punte
55 A
650 V
–
Automobile
AEC-Q100
Montare pe suprafață, Flanc umectabil
Plăcuță expusă 52-VQFN
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
2SP0430T2A0C-FF1800R17IP5
SCALE-2 PNP DUAL GATE DRVR 1.7KV
Power Integrations
558
În stoc
1 : 1.016,41000 lei
Tavă
Tavă
Activ
IGBT
Invertor trifazic
1800 A
1.7 kV
5000Vrms
-
-
–
Modul
35
În stoc
1 : 3.135,00000 lei
Vrac
-
Vrac
Activ
MOSFET
Trifazic
10 A
50 V
–
-
-
Montare pe suprafață
Modul 18-SMD
CIPOS-Mini_24
IM828XCCXKMA1
CIPOS MAXI 1200V 35A PG-MDIP-24
Infineon Technologies
197
În stoc
Activ
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
35 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
22-QFN
AOZ5507QI_2
25V/30A 5X5 DRMOS POWER MODULE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
8.700
În stoc
1 : 12,26000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 3,53281 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Monofazic
30 A
-
–
-
-
Montare pe suprafață
Modul 22-PowerVFQFN
39-VFQFN
FDMF5062
SMART POWER STAGE 70A 39PQFN
onsemi
2.069
În stoc
1 : 23,99000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 8,81719 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Monofazic
70 A
30 V
–
-
-
Montare pe suprafață
39-PowerVFQFN
30-QFN
NV6128
GANFAST SINGLE, 650V, 70MOHMS, P
Navitas Semiconductor, Inc.
3.579
În stoc
1 : 48,36000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 22,28819 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Semi-punte
20 A
650 V
–
–
–
Montare pe suprafață
30-PowerVQFN
NV6115
NV6117
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2.016
În stoc
1 : 31,26000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 14,58844 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Semi-punte
12 A
650 V
–
–
–
Montare pe suprafață
8-PowerVDFN
NV6115
NV6117-RA
IC PWR GANFAST N-CH 1:1 8QFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3.002
În stoc
1 : 35,34000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
1.000 : 14,58844 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Semi-punte
12 A
650 V
–
–
–
Montare pe suprafață
8-PowerVDFN
588
În stoc
1 : 41,90000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
260
În stoc
1 : 48,64000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
6 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
117
În stoc
1 : 51,49000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
275
În stoc
1 : 56,91000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
280
În stoc
1 : 58,00000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IKCM20L60GDXKMA1
IFPS MODULE 600V 20A 24PWRDIP
Infineon Technologies
315
În stoc
1 : 62,27000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGCM20F60GAXKMA1
IGBT 600V 20A 24PWRDIP MOD
Infineon Technologies
207
În stoc
Activ
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FNx4x060x2
FNB41060B2
IGBT 3PH 600V 10A MODULE
onsemi
149
În stoc
1 : 71,49000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41560
MODULE SPM 600V 15A 26PWRDIP
onsemi
135
În stoc
1 : 73,20000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
FNx4x060x2
FNB41060
MOD SPM 600V 10A SPM26-AA
onsemi
105
În stoc
1 : 73,20000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
Se afișează
din 1.098

Module de acționare pentru alimentare

Modulele de drivere de putere oferă un spațiu fizic pentru componentele de putere, de obicei IGBT-uri și MOSFET-uri în configurație cu o jumătate de punte sau monofazată, bifazată sau trifazată. Semiconductorii de putere sau matrițele sunt lipite sau sinterizate pe un substrat care ține semiconductorii de putere și asigură contactul electric și termic și izolația electrică acolo unde este necesar. Modulele de putere oferă o densitate de putere mai mare și, în multe cazuri, sunt mai fiabile și mai ușor de răcit.