Module de acționare pentru alimentare

Rezultate : 1.102
Opțiuni stoc
Opțiuni de mediu
Media
Excludere
1.102Rezultate

Se afișează
din 1.102
Nr. catalog prod.
CANTITATE DISPONIBILĂ
Preț
Serie
Pachet
Stare produs
Tip
Configurație
Curent
Tensiune
Tensiune - Izolație
Grad
Calificare
Tip montare
Pachet/cutie
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
1.411
În stoc
1 : 71,98000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
529
În stoc
1 : 84,71000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
30 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
-
SPM27CC
IGBT IPM 600V 20A 27-PWRDIP MOD
onsemi
230
În stoc
1 : 98,62000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
20 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
STK541UC62K-E
IGBT IPM 600V 10A 23-PWRSIP MOD
onsemi
134
În stoc
1 : 102,07000 lei
Tub
-
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 23-PowerSIP, 19 derivații, Conductori prelucrați
52 VQFN
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
817
În stoc
1 : 113,10000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
2.000 : 56,62999 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Invertor semi-punte
55 A
650 V
Montare pe suprafață
Plăcuță expusă 52-VQFN
27-DIP Module
IGBT IPM 600V 40A 27-PWRDIP MOD
onsemi
780
În stoc
240
Fabrică
1 : 123,34000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
IM818LCCXKMA1-VIEW-B
IGBT IPM 1.2KV 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
117
În stoc
1 : 128,40000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
20 A
1.2 kV
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
CIPOS-Mini_24
MOSFET IPM 1.2KV 35A 24-PWRDIP
Infineon Technologies
86
În stoc
1 : 371,38000 lei
Tub
Tub
Activ
MOSFET
Invertor trifazic
35 A
1.2 kV
2500Vrms
Orificiu străpuns
Modul 24-PowerDIP (1,094", 27,80mm)
39-VFQFN
MOSFET IPM 30V 70A 39-PWRVFQFN
onsemi
4.513
În stoc
1 : 22,02000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
3.000 : 8,09325 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Monofazic
70 A
30 V
-
-
Montare pe suprafață
39-PowerVFQFN
30-QFN
MOSFET IPM 650V 12A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
3.660
În stoc
1 : 25,72000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 13,40700 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Semi-punte
12 A
650 V
Montare pe suprafață
30-PowerVQFN
30-QFN
MOSFET IPM 650V 20A 30-PWRVQFN
Navitas Semiconductor, Inc.
2.986
În stoc
1 : 37,67000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
5.000 : 21,56336 lei
Bandă și mosor (TR)
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Semi-punte
20 A
650 V
Montare pe suprafață
30-PowerVQFN
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
272
În stoc
1 : 41,03000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
24-PowerDIP Module (1.028", 26.10mm)
IGBT IPM 650V 30A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
152
În stoc
1 : 41,20000 lei
Tavă
Tavă
Activ
IGBT
Invertor trifazic
30 A
650 V
2000Vrms
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 10A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
158
În stoc
1 : 45,69000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
460
În stoc
1 : 46,17000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 15A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
115
În stoc
1 : 51,14000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
15 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
275
În stoc
1 : 59,30000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
26 PowerDIP
IGBT IPM 600V 15A 26-PWRDIP MOD
STMicroelectronics
160
În stoc
1 : 59,60000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
15 A
600 V
1500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
26 PowerDIP
IGBT IPM 600V 20A 26-PWRDIP MOD
STMicroelectronics
118
În stoc
1 : 60,78000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
20 A
600 V
1500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,157", 29,40mm)
FNx4x060x2
IGBT IPM 600V 10A 26-PWRDIP MOD
onsemi
288
În stoc
1 : 67,19000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 26-PowerDIP (1,024", 26,00mm)
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
159
În stoc
1 : 68,63000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Trifazic
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
38-PowerDIP-Module-24-Leads
IGBT IPM 600V 10A 38-PWRDIP MOD
onsemi
615
În stoc
1 : 71,63000 lei
Tub
-
Tub
Activ
IGBT
Invertor trifazic
10 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 38-PowerDIP (0,610", 24,00mm), 24 derivații
CIPOS Series
IGBT IPM 600V 20A 24-PWRDIP MOD
Infineon Technologies
283
În stoc
1 : 72,03000 lei
Tub
Tub
Activ
IGBT
Bifazic
20 A
600 V
2000Vrms
-
-
Orificiu străpuns
24 Modul 24-PowerDIP (1,028", 26,10mm)
FPDB40PH60B
IGBT IPM 600V 40A 27-PWRDIP MOD
onsemi
108
În stoc
1 : 87,90000 lei
Tub
Tub
Nu pentru designuri noi
IGBT
Bifazic
40 A
600 V
2500Vrms
-
-
Orificiu străpuns
Modul 27-PowerDIP (1,205", 30,60mm)
LMG3526R030RQST
MOSFET IPM 650V 55A 52-VQFN
Texas Instruments
137
În stoc
1 : 138,17000 lei
Bandă tăiată la lungime (CT)
250 : 103,81736 lei
Bandă și mosor (TR)
-
Bandă și mosor (TR)
Bandă tăiată la lungime (CT)
Digi-Reel®
Activ
MOSFET
Invertor semi-punte
55 A
650 V
Montare pe suprafață, Flanc umectabil
Plăcuță expusă 52-VQFN
Se afișează
din 1.102

Module de acționare pentru alimentare


Modulele de drivere de putere oferă un spațiu fizic pentru componentele de putere, de obicei IGBT-uri și MOSFET-uri în configurație cu o jumătate de punte sau monofazată, bifazată sau trifazată. Semiconductorii de putere sau matrițele sunt lipite sau sinterizate pe un substrat care ține semiconductorii de putere și asigură contactul electric și termic și izolația electrică acolo unde este necesar. Modulele de putere oferă o densitate de putere mai mare și, în multe cazuri, sunt mai fiabile și mai ușor de răcit.