IPP120N10S403AKSA1 Infineon Technologies | Produse cu semiconductori discreți

IPP120N10S403AKSA1 este inactual și nu se mai fabrică.

Produse înlocuitoare disponibile:

MFR Recommended

Infineon Technologies

În stoc: 1.868

Preț unitar : 18,27000 lei

Similar

onsemi

În stoc: 1.465

Preț unitar : 12,64000 lei

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

IPP120N10S403AKSA1
Numărul produsului DigiKey	IPP120N10S403AKSA1-ND
Producător	Infineon Technologies
Numărul produsului producătorului	IPP120N10S403AKSA1
Descriere	MOSFET N-CH 100V 120A TO220-3
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 100 V 120A (Tc) 250W (Tc) Orificiu străpuns PG-TO220-3-1
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Inactual
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	120A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	3,9mOhm la 100A, 10V
Vgs(th) (Max) la Id	3,5V la 180µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	140 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	10120 pF @ 25 V
Caracteristică FET	–
Disipare putere (Max)	250W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	PG-TO220-3-1
Pachet/cutie	TO-220-3
Număr produs de bază	IPP120