Name: G2K2P10D3E
Brand: Goford Semiconductor
SKU: 4822-G2K2P10D3ETR-ND
Price: 0.76496 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

G2K2P10D3E
Numărul produsului DigiKey	4822-G2K2P10D3ETR-ND - Bandă și mosor (TR)
Producător	Goford Semiconductor
Numărul produsului producătorului	G2K2P10D3E
Descriere	MOSFET P-CH ESD 100V 10A DFN3*3-
Referință client
Descriere detaliată	Canal P 100 V 10A (Tc) 31W (Tc) Montare pe suprafață 8-DFN (3,15x3,05)
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Goford Semiconductor
Serie	-
Ambalaj	Bandă și mosor (TR)
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal P
Tehnologie	MOSFET (oxid metalic)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	100 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	10A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	4,5V, 10V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	210mOhm @ -6A, -10V
Vgs(th) (Max) la Id	2,5V la 250µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	33 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds	1668 pF @ -50 V
Disipare putere (Max)	31W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 150°C (TJ)
Tip montare	Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor	8-DFN (3,15x3,05)
Pachet/cutie	8-PowerVDFN