Name: DMWSH120H28SM4Q
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 31-DMWSH120H28SM4Q-ND
Price: 174.0464 RON
Availability: InStock

Imaginea afișată are doar titlu reprezentativ. Specificațiile exacte trebuie preluate de pe fișa tehnică a produsului.

DMWSH120H28SM4Q
Numărul produsului DigiKey	31-DMWSH120H28SM4Q-ND
Producător	Diodes Incorporated
Numărul produsului producătorului	DMWSH120H28SM4Q
Descriere	SICFET N-CH 1200V TO-247
Termen de livrare standard al producătorului	40 săptămâni
Referință client
Descriere detaliată	Canal-N 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Orificiu străpuns TO-247-4
Fișă de date	Fișă de date

Atributele produsului

Tip	Descriere	Selectare globală
Categorie	Produse cu semiconductori discreți Tranzistoare FET-uri, MOSFET-uri FET-uri, MOSFET-uri individuale
Prod.	Diodes Incorporated
Serie	-
Ambalaj	Tub
Stare piesă	Activ
Tip FET	Canal-N
Tehnologie	SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss)	1200 V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C	100A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit)	15V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs	28.5mOhm la 50A, 15V
Vgs(th) (Max) la Id	3,6V la 17,7mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs	156.3 nC @ 15 V
Vgs (Max)	+19V, -8V
Disipare putere (Max)	429W (Tc)
Temperatură de funcționare	-55°C – 175°C (TJ)
Grad	Automobile
Calificare	AEC-Q101
Tip montare	Orificiu străpuns
Pachet dispozitiv furnizor	TO-247-4
Pachet/cutie	TO-247-4

Întrebări și răspunsuri referitoare la produse

Vedeți ce întreabă inginerii, adresați-vă propriile întrebări sau ajutați un membru al comunității de ingineri DigiKey

În stoc: 33

Stoc din fabrică: 5.280

Verificați stoc primit suplimentar

Cantitate

Toate prețurile sunt în RON

Tub

Cantitate	Preț unitar	Ext Price
1	143,84000 lei	143,84 lei
30	96,41133 lei	2.892,34 lei

Pachet standard de la producător

Notă: Ca urmare a serviciilor DigiKey cu valoare adăugată, tipul de ambalare se poate modifica la achiziția produsului în cantități mai mici decât cea a ambalajului standard.