RON | EUR | USD

Preț și achiziții
2.351 Produse în stoc
Se poate expedia imediat
 

Cantitate

Adăugare la listă

Toate prețurile sunt în RON.
DIFERENȚĂ DE PREȚ Preț unitar Preț total
1 24.19000 lei24.19
10 21.72600 lei217.26
25 20.53800 lei513.45
100 17.80010 lei1,780.01

Trimiteți o cerere de ofertă pentru cantități mai mari decât cele afișate.

Pachet alternativ
  • Bandă și mosor (TR)  : SCT2H12NYTBTR-ND
  • Cantitate minimă: 400
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 1.600 - Imediat
  • Preț unitar: 16,88705 lei
  • Digi-Reel®  : SCT2H12NYTBDKR-ND
  • Cantitate minimă: 1
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 2.351 - Imediat
  • Preț unitar: Digi-Reel®

SCT2H12NYTB

Fișă de date
Numărul de catalog Digi-Key SCT2H12NYTBCT-ND
Copiază  
Producător

Rohm Semiconductor

Copiază  
Numărul de catalog al producătorului SCT2H12NYTB
Copiază  
Descriere SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Copiază  
Termen de livrare standard al producătorului 15 (de) săptămâni
Descriere detaliată

Canal-N 1700V 4A (Tc) 44W (Tc) Montare pe suprafață TO-268

Copiază  
Referință client
Documente și media
Fișe de date SCT2H12NY
TO-268-2L Taping Spec
Alte documente asociate SiC Flammability
MOS-2GSMD Reliability Test
Module de instruire pentru produse SiC Trench MOSFETs
Informații referitoare la mediul înconjurător SiC Level 1 MSL
SiC Whisker Info
SCT2750NY ESD Data
Produs recomandat SiC Power MOSFETs
Fișă de date HTML TO-268-2L Taping Spec
Modele de simulare SCT2H12NY Spice Model
Atributele produsului
TIP Descriere SELECTARE GLOBALĂ
Categorii
Producător Rohm Semiconductor
Serie -
Ambalaj Bandă tăiată la lungime (CT) 
Stare piesă Activ
Tip FET Canal-N
Tehnologie SiCFET (silicon carbid)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 1700V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 4A (Tc)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 18V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 1,5Ohm la 1,1A, 18V
Vgs(th) (Max) la Id 4V la 410µA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 14nC @ 18V
Vgs (Max) +22V, -6V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 184pF @ 800V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max) 44W (Tc)
Temperatură de funcționare 175°C (TJ)
Tip montare Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor TO-268
Pachet/cutie TO-268-3, D³Pak (2 derivații + clemă), TO-268AA
Număr piesă de bază SCT2H12
 
Clasificări referitoare la mediu și export
Statut RoHS Conform cu ROHS3
Nivel sensibilitate la umezeală (MSL) 1 (nelimitat)
V-ar mai putea interesa și

SCT2750NYTB

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

Rohm Semiconductor

28,31000 lei Detalii

EL3H7(B)(TA)-VG

OPTOISOLATOR 3.75KV TRANS 4-SSOP

Everlight Electronics Co Ltd

1,96000 lei Detalii

C3M0350120J

SICFET N-CH 1200V 7.2A TO263-7

Cree/Wolfspeed

27,77000 lei Detalii

G2R1000MT17J

SIC MOSFET N-CH 3A TO263-7

GeneSiC Semiconductor

25,73000 lei Detalii

IMBF170R450M1XTMA1

SICFET N-CH 1700V 9.8A TO263-7

Infineon Technologies

45,54000 lei Detalii

G2R1000MT17D

SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3

GeneSiC Semiconductor

20,27000 lei Detalii
Resurse suplimentare
Pachet standard 1
Alte nume SCT2H12NYTBCT