Preț și achiziții
17.924 Produse în stoc
Se poate expedia imediat
 

Cantitate

Adăugare la listă

Toate prețurile sunt în RON.
DIFERENȚĂ DE PREȚ Preț unitar Preț total
1 11.70000 lei11.70
10 10.50700 lei105.07
100 8.44440 lei844.44
500 6.93766 lei3,468.83
1.000 5.74838 lei5,748.38

Trimiteți o cerere de ofertă pentru cantități mai mari decât cele afișate.

Preț unitar
lei11.70000

Exclude VAT

lei13.92300

Include VAT (Goods and Services Tax - Taxă pe bunuri și servicii)

Pachet alternativ
  • Bandă și mosor (TR)  : 917-1084-2-ND
  • Cantitate minimă: 2.500
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 15.000 - Imediat
  • Preț unitar: lei5.40600
  • Digi-Reel®  : 917-1084-6-ND
  • Cantitate minimă: 1
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 17.924 - Imediat
  • Preț unitar: Digi-Reel®

EPC2012C

Fișă de date
Numărul de catalog Digi-Key 917-1084-1-ND
Copiază  
Producător

EPC

Copiază  
Numărul de catalog al producătorului EPC2012C
Copiază  
Descriere GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Copiază  
Termen de livrare standard al producătorului 12 (de) săptămâni
Descriere detaliată

Canal-N 200V 5A (Ta) – Montare pe suprafață Contur matriță (bară cu 4 aliaje de lipit)

Copiază  
Referință client
Documente și media
Fișe de date EPC2012C
Module de instruire pentru produse eGaN® FET Reliability
Informații referitoare la mediul înconjurător EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Produs recomandat EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
Wireless Power Solutions
Bibliotecă de proiecte de referinţă EPC9052: 1A, 0 ~ 40V, 15 MHz, Class E Amplifier
PCN Ansamblu/Origine Assembly Site 25/Jun/2021
Fișă de date HTML EPC2012C
Modele EDA/CAD EPC2012C by SnapEDA
Atributele produsului
TIP Descriere SELECTARE GLOBALĂ
Categorii
Producător EPC
Serie eGaN®
Ambalaj Bandă tăiată la lungime (CT) 
Stare piesă Activ
Tip FET Canal-N
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 5A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 100mOhm la 3A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 1,3nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 140pF @ 100V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tip montare Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor Contur matriță (bară cu 4 aliaje de lipit)
Pachet/cutie Matriță
Număr piesă de bază EPC2012
 
Clasificări referitoare la mediu și export
Statut RoHS Conform cu ROHS3
Nivel sensibilitate la umezeală (MSL) 1 (nelimitat)
Pentru utilizare cu

EPC9004C

BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN

EPC

lei381.60000 Detalii

EPC9052

BOARD DEV EPC2012C EGAN FET

EPC

lei609.50000 Detalii
V-ar mai putea interesa și

EPC2019

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

EPC

lei15.56000 Detalii

EPC2037

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

lei5.68000 Detalii

EPC2007C

GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE

EPC

lei9.07000 Detalii

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei21.58000 Detalii

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei24.80000 Detalii

EPC2108

GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA

EPC

lei8.10000 Detalii
Resurse suplimentare
Pachet standard 1
Alte nume 917-1084-1