RON | EUR | USD
Preferință

Preț și achiziții
27.899 Produse în stoc
Se poate expedia imediat
 

Cantitate
Toate prețurile sunt în RON.
DIFERENȚĂ DE PREȚ Preț unitar Preț total
1 11.48000 lei11.48
10 9.53100 lei95.31
25 9.21840 lei230.46
100 7.58450 lei758.45
500 6.41788 lei3,208.94
1,000 5.44544 lei5,445.44

Trimiteți o cerere de ofertă pentru cantități mai mari decât cele afișate.

Pachet alternativ
  • Bandă și mosor (TR)  : 917-1084-2-ND
  • Cantitate minimă: 2.500
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 27.500 - Imediat
  • Preț unitar: 5,30400 lei
  • Digi-Reel®  : 917-1084-6-ND
  • Cantitate minimă: 1
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 27.899 - Imediat
  • Preț unitar: Digi-Reel®

EPC2012C

Fișă de date
Numărul de catalog Digi-Key 917-1084-1-ND
Copiază  
Producător

EPC

Copiază  
Numărul de catalog al producătorului EPC2012C
Copiază  
Descriere GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
Copiază  
Termen de livrare standard al producătorului 12 (de) săptămâni
Descriere detaliată

Canal-N 200V 5A (Ta) – Montare pe suprafață Contur matriță (bară cu 4 aliaje de lipit)

Copiază  
Referință client
Documente și media
Fișe de date EPC2012C
Module de instruire pentru produse eGaN® FET Reliability
Produs recomandat EPC Low Voltage eGaN® FETs
EPC9052/53/54 Development Boards
Wireless Power Solutions
Bibliotecă de proiecte de referinţă EPC9052: 1A, 0 ~ 40V, 15 MHz, Class E Amplifier
PCN Ansamblu/Origine Mult Dev Site Add 28/Aug/2020
Fișă de date HTML EPC2012C
Modele EDA/CAD EPC2012C by SnapEDA
Atributele produsului
TIP Descriere SELECTARE GLOBALĂ
Categorii
Producător EPC
Serie eGaN®
Ambalaj Bandă tăiată la lungime (CT) 
Stare piesă Activ
Tip FET Canal-N
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 200V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 5A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 100mOhm la 3A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 1,3nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 140pF @ 100V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tip montare Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor Contur matriță (bară cu 4 aliaje de lipit)
Pachet/cutie Matriță
Număr piesă de bază EPC2012
 
Clasificări referitoare la mediu și export
Statut RoHS Conform cu ROHS3
Nivel sensibilitate la umezeală (MSL) 1 (nelimitat)
Pentru utilizare cu

EPC9004C

BOARD DEV FOR EPC2012C 200V EGAN

EPC

374,40000 lei Detalii

EPC9052

BOARD DEV EPC2012C EGAN FET

EPC

598,00000 lei Detalii
V-ar mai putea interesa și

EPC2010C

GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE

EPC

27,29000 lei Detalii

EPC2019

GANFET N-CH 200V 8.5A DIE

EPC

15,27000 lei Detalii

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

18,39000 lei Detalii

EPC2022

GANFET N-CH 100V 60A DIE

EPC

33,53000 lei Detalii

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

21,17000 lei Detalii

MM5Z5V1T1G

DIODE ZENER 5.1V 500MW SOD523

ON Semiconductor

0,96000 lei Detalii
Resurse suplimentare
Pachet standard 1
Alte nume 917-1084-1