Preț și achiziții
32.880 Produse în stoc
Se poate expedia imediat
 

Cantitate

Adăugare la listă

Toate prețurile sunt în RON.
DIFERENȚĂ DE PREȚ Preț unitar Preț total
1 9.07000 lei9.07
10 8.15800 lei81.58
100 6.55670 lei655.67
500 5.38692 lei2,693.46
1.000 4.46345 lei4,463.45

Trimiteți o cerere de ofertă pentru cantități mai mari decât cele afișate.

Preț unitar
lei9.07000

Exclude VAT

lei10.79330

Include VAT (Goods and Services Tax - Taxă pe bunuri și servicii)

Pachet alternativ
  • Bandă și mosor (TR)  : 917-1081-2-ND
  • Cantitate minimă: 2.500
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 32.500 - Imediat
  • Preț unitar: lei4.19760
  • Digi-Reel®  : 917-1081-6-ND
  • Cantitate minimă: 1
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 32.882 - Imediat
  • Preț unitar: Digi-Reel®

EPC2007C

Fișă de date
Numărul de catalog Digi-Key 917-1081-1-ND
Copiază  
Producător

EPC

Copiază  
Numărul de catalog al producătorului EPC2007C
Copiază  
Descriere GANFET N-CH 100V 6A DIE OUTLINE
Copiază  
Termen de livrare standard al producătorului 12 (de) săptămâni
Descriere detaliată

Canal-N 100V 6A (Ta) – Montare pe suprafață Contur matriță (bară cu 5 aliaje de lipit)

Copiază  
Referință client
Documente și media
Fișe de date EPC2007C
Module de instruire pentru produse eGaN® FET Reliability
Informații referitoare la mediul înconjurător EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Produs recomandat EPC Low Voltage eGaN® FETs
Wireless Power Solutions
Bibliotecă de proiecte de referinţă EPC9006C: 7A, 0 ~ 100V, Half Bridge
PCN Ansamblu/Origine Assembly Site 25/Jun/2021
Fișă de date HTML EPC2007C
Modele EDA/CAD EPC2007C by SnapEDA
EPC2007C by Ultra Librarian
Atributele produsului
TIP Descriere SELECTARE GLOBALĂ
Categorii
Producător EPC
Serie eGaN®
Ambalaj Bandă tăiată la lungime (CT) 
Stare piesă Activ
Tip FET Canal-N
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 6A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 30mOhm la 6A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 1,2mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 2,2nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 220pF @ 50V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tip montare Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor Contur matriță (bară cu 5 aliaje de lipit)
Pachet/cutie Matriță
Număr piesă de bază EPC2007
 
Clasificări referitoare la mediu și export
Statut RoHS Conform cu ROHS3
Nivel sensibilitate la umezeală (MSL) 1 (nelimitat)
Pentru utilizare cu

EPC9065

EVAL BOARD FOR EPC2007C EPC2038

EPC

lei1,755.36000 Detalii

EPC9006C

BOARD DEV FOR EPC2007C 100V

EPC

lei381.60000 Detalii

EPC9507

EVAL BOARD GAN ZVS CLASS D AMP

EPC

lei1,602.72000 Detalii
Produse asociate Vedeți mai multe

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei17.98000 Detalii

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei23.36000 Detalii

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei15.60000 Detalii

LM5113QDPRRQ1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

lei21.20000 Detalii

LM5113SD/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

lei23.36000 Detalii

LM5113SDE/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

lei26.03000 Detalii
V-ar mai putea interesa și

EPC2012C

GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE

EPC

lei11.70000 Detalii

EPC2036

GANFET N-CH 100V 1.7A DIE

EPC

lei3.56000 Detalii

EPC2038

GANFET N-CH 100V 500MA DIE

EPC

lei4.92000 Detalii

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei15.60000 Detalii

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei21.58000 Detalii

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei17.98000 Detalii
Resurse suplimentare
Pachet standard 1
Alte nume 917-1081-1