Preț și achiziții
112.578 Produse în stoc
Se poate expedia imediat
 

Cantitate

Adăugare la listă

Toate prețurile sunt în RON.
DIFERENȚĂ DE PREȚ Preț unitar Preț total
1 19.79000 lei19.79
10 17.78700 lei177.87
100 14.57330 lei1,457.33
500 12.40620 lei6,203.10
1.000 10.46307 lei10,463.07

Trimiteți o cerere de ofertă pentru cantități mai mari decât cele afișate.

Pachet alternativ
  • Bandă și mosor (TR)  : 917-1079-2-ND
  • Cantitate minimă: 2.500
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 112.500 - Imediat
  • Preț unitar: lei10.11885
  • Digi-Reel®  : 917-1079-6-ND
  • Cantitate minimă: 1
  • CANTITATE DISPONIBILĂ: 112.578 - Imediat
  • Preț unitar: Digi-Reel®

EPC2001C

Fișă de date
Numărul de catalog Digi-Key 917-1079-1-ND
Copiază  
Producător

EPC

Copiază  
Numărul de catalog al producătorului EPC2001C
Copiază  
Descriere GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
Copiază  
Termen de livrare standard al producătorului 12 (de) săptămâni
Descriere detaliată

Canal-N 100V 36A (Ta) – Montare pe suprafață Contur matriță (bară cu 11 aliaje de lipit)

Copiază  
Referință client
Documente și media
Fișe de date EPC2001C
Module de instruire pentru produse eGaN® FET Reliability
Informații referitoare la mediul înconjurător EPC RoHS3 Cert
EPC REACH211 Cert
Produs recomandat EPC Low Voltage eGaN® FETs
Bibliotecă de proiecte de referinţă EPC9126HC: 150A, 0 ~ 80V, Pulsed Laser Diode Driver
PCN Proiectare/Specificații Mfg Process Update 29/Mar/2016
PCN Ansamblu/Origine Assembly Site 25/Jun/2021
Fișă de date HTML EPC2001C
Atributele produsului
TIP Descriere SELECTARE GLOBALĂ
Categorii
Producător EPC
Serie eGaN®
Ambalaj Bandă tăiată la lungime (CT) 
Stare piesă Activ
Tip FET Canal-N
Tehnologie GaNFET (nitrură de galiu)
Tensiune de la consumator la sursă (Vdss) 100V
Curent - Consum continuu (Id) la 25°C 36A (Ta)
Tensiune acționare (Max Rds pornit, Min Rds pornit) 5V
Rds pornit (Max) la Id, Vgs 7mOhm la 25A, 5V
Vgs(th) (Max) la Id 2,5V la 5mA
Încărcare poartă (Qg) (Max) la Vgs 9nC @ 5V
Vgs (Max) +6V, -4V
Capacitanță intrare (Ciss) (Max) la Vds 900pF @ 50V
Caracteristică FET
Disipare putere (Max)
Temperatură de funcționare -40°C – 150°C (TJ)
Tip montare Montare pe suprafață
Pachet dispozitiv furnizor Contur matriță (bară cu 11 aliaje de lipit)
Pachet/cutie Matriță
Număr piesă de bază EPC2001
 
Clasificări referitoare la mediu și export
Statut RoHS Conform cu ROHS3
Nivel sensibilitate la umezeală (MSL) 1 (nelimitat)
Pentru utilizare cu

EPC9126HC

LIDAR DEMO BOARD 100V EPC2001C

EPC

lei968.94000 Detalii

EPC9013

BOARD DEV FOR EPC2001 100V EGAN

EPC

lei602.31000 Detalii

EPC9002C

BOARD DEV FOR EPC2001C 100V

EPC

lei377.10000 Detalii
Produse asociate Vedeți mai multe

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei21.33000 Detalii

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei24.51000 Detalii

LMG1205YFXR

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei15.42000 Detalii

LMG1205YFXT

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei17.77000 Detalii

LM5113TME/NOPB

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 12DSBGA

Texas Instruments

lei23.09000 Detalii

LM5113QDPRRQ1

IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 10WSON

Texas Instruments

lei20.95000 Detalii
V-ar mai putea interesa și

LMG1020YFFR

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei21.33000 Detalii

LMG1020YFFT

IC GATE DRVR LOW-SIDE 6DSBGA

Texas Instruments

lei24.51000 Detalii

NC7WZ16L6X

IC BUF NON-INVERT 5.5V 6MICROPAK

onsemi

lei2.26000 Detalii

EPC2022

GANFET N-CH 100V 90A DIE

EPC

lei33.77000 Detalii

EPC2212

GANFET N-CH 100V 18A DIE

EPC

lei12.53000 Detalii

LMG1210RVRR

IC GATE DRVR GAN MOSFET

Texas Instruments

lei26.06000 Detalii
Resurse suplimentare
Pachet standard 1
Alte nume 917-1079-1